全程复习广西专用广西专用年高考物理轮复习带电粒子在复合场中的运动课件新人教版.ppt

（1）带电微粒第一次经过磁场边界点的位置坐标； （2）带电微粒在磁场区域运动的总时间； （3）带电微粒最终离开电、磁场区域点的位置坐标.（保留两位有效数字） 【解析】（1）带电微粒从O点射入磁场，运动轨迹如图. 第一次经过磁场边界上的A点 由 得 A点位置坐标（-4×10-3 ，-4×10-3 ） （2）带电微粒在磁场中运动轨迹如（1）问图，设带电微粒在磁场中做圆周运动的周期为T 则t=tOA+tAC=　 代入数据解得：T=1.3×10-5 s 所以t=1.3×10-5 s. （3）微粒从C点沿y轴正方向进入电场，速度方向与电场力方向垂直，微粒做类平抛运动. Δy=v0t1 代入数据解得：Δy=0.2 m y=Δy-2r=0.2 m-2×4×10-3 m=0.19 m 离开电、磁场时的点的位置坐标为（0，0.19）. 答案：（1）（-4×10-3 ，-4×10-3 ） （2）1.3×10-5 s （3）（0，0.19 ） 【变式备选】如图所示的装置，左半部分为速度选择器，右半部分为匀强的偏转电场.一束同位素离子流从狭缝S1射入速度选择器，能够沿直线通过速度选择器并从狭缝S2射出的离子，又沿着与电场垂直的方向，立即进入场强大小为E的偏转电场，最后打在照相底片D上.已知同位素离子的电荷量为q （q＞0），速度选择器内部存在着相互垂直的场强大小为E0的匀强电场和磁感应强度大小为B0的匀强磁场，照相底片D与狭缝S1、S2连线平行且距离为L，忽略重力的影响. （1）求从狭缝S2射出的离子速度v0的大小； （2）若打在照相底片上的离子在偏转电场中沿速度v0方向飞行的距离为x，求出x与离子质量m之间的关系式（用E0、B0、E、q、m、L 表示）. 【解析】（1）能从速度选择器中飞出的条件为 qE0=qv0B0　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ① 解得　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ② （2）离子进入电场后做类平抛运动,则 qE=ma　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　③ x=v0t ④ ⑤ 联立②③④⑤解得 答案： 考查内容 带电粒子在复合场中运动的实际应用 【例证】利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用 于测量和自动控制等领域. 如图1，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两 个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一 现象称霍尔效应.其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用 向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场EH，同时产生霍尔 电势差UH.当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时，EH和UH 达到稳定值，UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系 式 其中比例系数RH称为霍尔系数，仅与材料性质有 关. （1）设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出UH和EH的关系式；若半导体材料是电子导电的，请判断图1中c、f哪端的电势高； （2）已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n，电子的电荷量为e，请导出霍尔系数RH的表达式.（通过横截面积S的电流I=nevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率）； （3）图2是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体，相邻永磁体的极性相反.霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近.当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图3所示.若在时间ｔ内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，请导出圆盘转速N的表达式. 【规范解答】（1）EH和UH达到稳定值，根据匀强电场中电势差与电场强度的关系，可得UH=EHl； 若半导体材料是电子导电的，则电子运动方向与电流方向相反，根据左手定则，电子受洛伦兹力的作用向f侧偏转和积累，故c端的电势高. （2）由 ① 得 ② 当电场力与洛伦兹力相等时eEH=evB 得EH=vB ③ 又I=nevS ④ 联立②③④解得 （3）由于在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，则P=mNt 圆盘转速为 答案：（1）UH=EHl　c端的电势高（2） （3） 1.（2012·