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(2) 汽化原了或分子在蒸发源与基片之间的输运，此过程中汽化原子或分子与残余气体分子发生碰撞的次数决定了蒸发原子或分子的平均白由程以及源－基距离。 (3) 蒸发原子或分子在基片表面的沉积过程，即蒸气的凝聚成核，核生长形成连续膜(气相→固相的相变过程)。 上述过程必须在空气稀薄的真空环境中进行，否则蒸发粒子将与空气分子碰撞，使膜污染甚至形成氧化物，或者蒸发源氧化烧毁等。 基本原理：在真空室中加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到固体(称为衬底或基片)表面，凝结形成固态薄膜的方法。 与溅射法相比，蒸发法的显著特点之一是具有较高的背底真空度(一般情况下10-3 Pa)。 电阻式热蒸发装置： 典型的蒸发源形状： 关于蒸发源的形状可根据蒸发材料的性质，结合考虑与蒸发源材料的湿润性，制作成不同的形式和选用不同的蒸发源材料。如图所示: 蒸发源材料需满足如下要求： 熔点要高。 平衡蒸气压低。 化学性能稳定，在高温下不应与蒸发材料发生化学反应。 具有良好的耐热性，热源变化时，功率密度变化较小。 原料丰富，经济耐用。 电阻加热装置的缺点： 坩埚、加热元件以及各种支撑部件造成的污染； 电阻加热法的加热功率或加热温度有一定的限制；因此不适用于高纯或难熔物质的蒸发。 电子束蒸发装置正好克服了电阻加热法的上述两个不足，因而它已经成为蒸发法中高速沉积高纯物质薄膜的一种主要的加热方式。 电子束蒸发装置： 为了蒸镀难熔金属和氧化物材料(高熔点物质)，特别是要制作高纯度薄膜(蒸发源的污染)，人们发展了将电子束作为蒸发源的方法。将待蒸发材料放入水冷铜坩埚中，直接利用电子束加热，使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面成膜。 a. 电子束加热原理：电子在电场作用下获得动能，然后轰击到处于阳极的蒸发材料上，这时动能转变为热能，使蒸发材料加热气化，从而实现蒸发镀膜。加速电压很高时(如10 KV)，电子束产生的热能足以使蒸发材料气化蒸发，从而成为真空蒸发技术中的一种良好热源。 假如U=10 kV，则电子速度可达6×104 km/s。 若电子束的能量 W=neU=Iut 则由其产生的热量为 Q = 0.24Wt 在一个不太小的面积上达到104～109 W/cm2的功率密度，因此可以使高熔点(可高达3000 C以上)材料蒸发。 优点: (1)电子束轰击热源的束流密度高，因而能获得比电阻加热源更大的能量密度。因此可以蒸发高熔点金属(如W、Mo、SiO2、Al2O3等)，并且具有较大的蒸发速度。(2)由于待蒸发材料是置于水冷坩埚内，因而可以避免容器材料的蒸发，以及容器材料与待蒸发材料之间的反应，从而可以提高镀膜的纯度。(3)热量可以直接加到蒸发材料表面，因而热效率高，热传导和热辐射的损失小。 缺点: (1) 电子枪发出的一次电子和蒸发材料发出的二次电子(高能电子轰击材料表面所产生的电子)将导致蒸发原子和残余气体分子电离，从而影响薄膜质量。(2)多数化合物被电子轰击时会分解。(3)电子束蒸发装置结构复杂，价格昂贵。(4)加速电压过高时产生的软X射线对人体有伤害。 电弧蒸发装置： 电弧放电加热法具有可以避免电阻加热材料或坩埚材料的污染，加热温度较高的特点，特别适用于熔点高，同时具有一定导电性的难熔金属、石墨等的蒸发。同时，此种方法使用的设备比电子束加热装置简单，因而是一种较为廉价的蒸发装置。 如下图所示，在电弧蒸发装置中，使用欲蒸发的材料制成放电的电极。在薄膜沉积时，依靠调节真空室内电极间距的方法来点燃电弧，而瞬间的高温电弧将使电极端部产生蒸发从而实现物质的沉积。控制电弧的次数或时间就可以沉积出一定厚度的薄膜。 显然，在上述各种机制中，开始的时候层状生长的自由能较低，但在其后，岛状生长模式在能量上变得更为有利。 c. 在层状外延生长表面是表面能比较高的晶面时，为了降低表面能，薄膜力图将暴露的晶面改变为低能晶面。因此薄膜在生长到一定厚度之后，生长模式会由层状模式向岛状模式转变。 薄膜的形成一般分为以下三个阶段： 凝结过程 核形成与生长过程 岛形成与结合生长过程 B. 薄膜形成的三个阶段 凝结过程是薄膜形成的第一阶段。 凝结过程是从蒸发源中被蒸发的气相原子、离子或分子入射到基体(片)表面之后，从气相到吸附相、经扩散再到凝结相的一个相变过程。 凝结过程： 固体表面与体内在晶体结构上一个重大差异就是原子或分子间的结合化学键中断。原子或分子在固体表面形成的这种中断键称为不饱和键或悬挂键。这种键具有吸引外来原子或分子的能力。 吸附现象： 入射到基体表面的气相原子被这种悬挂键吸引住的现象称为吸附。如果吸附仅仅是由原子电偶极矩之间的范德华力起作用称为物理吸附；若吸附是由化学键结合力起作用则称为化学吸附。 吸附现象使表面自