ICPMS课程ICPMS中的干扰.ppt

第三章 ICP-MS中的干扰 ICP-MS中的干扰 质谱干扰 不能分辨的相同质量的干扰 非质谱干扰 源于样品基体 质谱干扰 同量异位素 多原子 氩聚合物Argides 氧化物 其它 (如 氯化物、 氢化物等.) 双电荷离子 同量异位素干扰 多原子离子干扰 质谱干扰 选择无干扰同位素 如137Ba代替138 Ba 最佳化仪器以减少干扰 氧化物、双电荷离子 ShieldTorch 减少具有高电离能的多原子离子 消除 ArO 消除 ArH 条件最佳化以减少在等离子体中形成的干扰[1] 条件最佳化以减少在等离子体中形成的干扰[2] 条件最佳化以减少在等离子体中形成的干扰[3] 等离子体温度对电离程度的影响 有效的气溶胶解离过程 氧化物和双电荷离子 质谱干扰的解决办法 排除基体 螯合法 色谱法Chromatography 电热蒸发法（ETV） 去溶剂法Desolvation 膜去溶 热去溶 干扰校正方程 干扰校正方程 As 干扰校正 干扰校正方程 - Agilent 7500 非质谱干扰 总固体溶解量 高质量元素 高质量元素影响低质量元素的信号. (空间电荷效应) 易电离元素 有限的电离能被易电离元素如 Na 和 K所消耗. 高溶解固体量的影响 信号抑制 沉积到采样锥和截取锥上 沉积到离子透镜系统 第一电离能 电离效率 信号抑制 基体效应 – 对低质量分析元素的影响 基体效应 – 对中质量分析元素的影响 Matrix Effects - on High Mass Analyte 空间电荷接口和透镜区域 电离抑制等离子体区域 如何克服基体效应 减少 ‘基体’ 量 低样品提升量 减少含水量 冷却雾化室 去溶剂方式 增加等离子体中的停留时间 增大采样深度 大直径炬内管以降低气溶胶速度 为电离提供尽可能高的能量 高入射功率 降低样品和载气流速 限制/减少易电离元素基体，必要时采取稀释 + 粒子解离 通过采样锥后，分析元素以 M+ 离子存在 气溶胶干燥 形成原子并电离 停留时间为毫秒级. 关键是优化等离子体能量输入 以保证样品基体彻底解离 大孔径炬内管使气溶胶扩散，在气溶胶干燥时减少聚集冷却而且减少了样品沉积在内管表面的可能e ICP-MS 分析中用于校正元素、双电荷和多原子同量异位素干扰的数学方程. 同量异位素 204 Hg on 204 Pb 多原子离子 75ArCl on 75As 双电荷离子 88Sr++ on 44 Ca 75As = 75M - { 77ArCl (35Cl abundance / 37Cl abundance) } 75As = 75M - { 77ArCl ( 3.127 ) } (1) But there is Se at m/z 77... 77ArCl = 77M - { 82Se ( 77Se abundance / 82Se abundance) } 77ArCl = 77M - { 82Se ( 0.874 ) } (2) So equation 1 and 2 becomes: 75As = 75M - {[77M - { 82Se (0.874)}] (3.127)} 75As = 75M - 77M(3.127) + 82Se(2.733) (3) But, there is Krypton at 82… 82Se = 82M - { 83Kr ( 82Kr abundance / abundance 83Kr ) } 82Se = 82M - { 83Kr ( 1.009 ) } (4) So equation 3 and 4 becomes: 75As = 75M - 77M(3.127) + {[82M - {83Kr (1.009)}](2.733)} 75As = 75M - 77M(3.127) + 82M(2.733) - 83M(2.757) 75 76 77 78 79 80 81 82 83 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 Relative signal 75 76 77 78 79 80 81 82 83 m/z Kr Se ArCl As 第一电离能 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 5 10 15 20 25 原子序数 电离能 (eV) Ar 15.75eV He 24.58eV Li Be B C Ba Mg Al Si P S Cl K Ca Sc V Ti Cr Mn Zn Ga Ge Cu Fe Ni Co As Se Br Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru R