Semi半导体发光.ppt

* 第三章 半导体发光特性 第六节 半导体性质举例 第五节 施主-受主对发光 第四节 激子发光 第三节 复合发光及其衰减规律 第二节 半导体陷阱 第一节 半导体发光过程 激子是一个能量存储系统，激子可以通过辐射和无辐射方式把存储的能量释放出来。 激子复合方式 1.运动着的激子通过电子和空穴的复合，辐射出光子和声子，并保持动量和能量守恒。 2.通过声子散射、碰撞离化、缺陷散射和场离化等途径，激子理解成一对自由电子和空穴。 3.激子通过发射声子而损失掉能量。 4.激子把能量传递给杂质，而得到能量的杂质本身又可以通过辐射的或无辐射的或再转移给另一个杂质的损失能量。 第四节 激子发光 激子的状态也受到电场微扰，外加电场能使允许的激子状态分裂，结果产生光谱位移，微扰状态取决于激子能级性质，若激子能级是简并的，则产生斯托克斯光谱移动，它是电场的函数；若不简并的，则相应的分裂与电场无关。 激子复合发光具有谱线锐，吸收强，效率高等特点。 在磁场中，情况更为复杂，可观测到正常和反常塞曼效应，利用激子光谱在电场和磁场中的变化，我们可以判断晶体内发生的跃迁过程的性质。 激子作为一种电子激发态可以在晶体中运动，因而它是半导体发光过程中传递和输运能量的一种重要形式。激子可以有短的寿命(10-8 s)，即经10 -8 s后变为(复合成）一个光子，这一光子在晶体中传输一短距离后又产生新的激子。这种共振互作用是激子传递和输运能量的一种重要形式，可在较大距离上传递能量。 激子态对半导体发光机制、发光效率都有很大影响，因而无论从弄清物理本质出发或实际应用出发，弄清激于复合发光效应都是重要的。 三、自由与束缚激子的复合发光 自由激子可以在晶体中运动，传播能量和动量，但不传播电荷。激子在运动当中，如果碰到杂质和缺陷态，可能被束缚在那里，使能量有所降低，成为束缚激子。 不论自由激子还是束缚激子，都是一种激发状态，其中电子—空穴随时都可能复合发光，将能量释放出来，回到稳定的基态。 由于动量守恒定律的限制，自由激子和束缚激子的复合，都可能伴随声子的发射或吸收。因此，在实验上观察到的半导体发光，可能包括带边发射，自由激子和束缚激子的复合以及声子伴线，还可能有激子的双电子跃迁，施主—受主对跃迁等，情况比较复杂，需要仔细辨认。 1. 自由激子的发光 对于直接带结构半导体, 自由激子发光一般是来自n = 1激子能级的跃迁，发射能量为 ??ex = Eg – R* = Eg –Eb (3.64a) 其中R*为激子等效里德堡常数（激子结合能）。对间接带结构半导体, FE激子发光还需要声子的参与，一般是发射若干声子，激子的发光能量为 ?? ex= Eg –Eb– NEp (3.64b) 其中Ep为声子的能量, N为发射的声子数。 因此在激子光谱中，常常出现若干声子伴线(replica)，用FE—TO, FE—TA等表示，意思是伴随TO和TA声子的发射。 激子发光光谱中的声子伴线与自由激子(或束缚激子)的初始能量分布具有简单的关系，声子伴随的激子发光峰有规律地排列，比较容易辨认参与的声子类型和数目，而且伴随多级声子过程的几率随着声子级数的增加而降低，所以声子伴随的激子发光的能量和强度都依次降低，这对于辨认激子发光起源很有帮助。 对于声子伴随的激子发光，常常用零声子激子和声子伴线的概念。设零声子激子的波矢为Kex，则声子参与下激子复合发光的波矢条件为k = Kex?? qn，其中qn 为声子的波矢， n = 1, 2, 3, … N，为伴随发射的声子数。因为光子的波矢相对于激子和声子来说，可以认为k ? 0。 因此具有任意Kex的激子，不管是直接跃迁还是间接跃迁，只要满足上述动量守衡条件，原则上都可能发生声子伴随的发光。 利用自由激子PL光谱分析，可以确定Eg及其温度依赖关系；特别，对不同激子系的研究，可以了解晶场作用与自旋—轨道相互作用导致价带劈裂的情况。 在异质外延薄膜中，常常发生由应变引起的晶格弛豫，从而影响价带劈裂的大小。对激子光谱分析，可以给出应变层的轮廓。 由于W激子的空间扩展性，因而对周期性势场的扰动非常敏感，这一点可以通过激子谱线的加宽程度来分析，从而了解有关本征缺陷和杂质状态的信息。 用光激发产生激子的Kex≈0，因为光子的动量很小，对直接带结构半导体，