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GaAs压电物性的研究-东南大学学报
大 及
第 卷第 期 东 南 学 学 才
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压 电物 性 的研 究
黄庆安 吕世骥 童勤
徽电子 中心
压
摘 较详细地讨 了 压 电效应 的起源 有 种不 同的机制衬 电
要 论
、
效应有贡献 这些机制是 子 电 的 位 移 电子 电 的内 位移和 由
离 荷 内部 荷 部
压
于应 变引起 的 子性 的变化 推 出了任 晶体 向 电 数张量的 达
离 导 意 取 常 表
, ,
, ,
而 强压
式 证 明了 对正应 力 言 方 向有最 电效应 发生 且
呈 , 而 呈
原子 负电性 原子则 正 电性
,
,
关 询 压 电效应 砷化稼 传感器 成 器件
健 集
中圈法分类号
、
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