GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 11 (2013) 117103 GaN 厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究* 12† 1 3 3 3 2 张明兰 杨瑞霞 李卓昕 曹兴忠 王宝义 王晓晖 1) ( 河北工业大学信息工程学院, 天津 300401 ) 2) ( 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室, 北京 100083 ) 3) ( 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室, 北京 100049 ) ( 2012 年12 月17 日收到; 2013 年1 月25 日收到修改稿) 本文采用正电子湮没谱研究质子辐照诱生缺陷, 实验发现: 能量为5 MeV 的质子辐照在GaN 厚膜中主要产生 的是Ga 单空位, 没有双空位或者空位团形成; 在10 K 测试的低温光致发光谱中, 带边峰出现了“蓝移”, 辐照后黄光 带的发光强度减弱, 说明黄光带的起源与Ga 空位(VGa) 之间不存在必然的联系, 各激子发光峰位置没有改变, 仅强 度随质子注量发生变化; 样品(0002) 面双晶XRD 扫描曲线的半峰宽在辐照后明显增大, 说明质子辐照对晶格的周 期性产生了影响, 薄膜晶体质量下降. 关键词: GaN, 缺陷, 质子, 辐照 PACS: 71.55.Eq, 61.80.−x, 78.70.Bj, 78.20.−e DOI: 10.7498/aps.62.117103 要成分, 是半导体器件在外太空中面临的主要威胁 1 引言 之一, 质子与GaN 材料的作用包括电离过程和位移 过程, 前者属于瞬时过程, 后者会在材料中形成晶 氮化镓(GaN) 属于直接带隙半导体材料, 禁带 格缺陷, 属于永久性损伤, 是引起半导体器件性能 宽度大、耐高温、抗腐蚀, 是制备高性能光、电器 退化的主要因素, 研究GaN 材料的质子辐照效应, 对提高器件的抗辐射能力具有重要意义. 件的理想材料. 由于抗辐射能力强, GaN 基器件可 正电子湮没谱对材料结构和空位型缺陷非常 以用于外太空、石油钻井平台等高温、强辐射环 敏感, 属于无损伤测试技术, 通过测试材料正电子 境中. 随着研究工作的不断深入, 材料生长技术日 寿命的变化情况, 可以得到材料结构、缺陷类型和 趋成熟, 器件制备也取得了突破性的进展, 并且在 5 浓度等重要信息 . 由于GaN 材料中Ga, N 的位移 相关领域得到了应用. 外太空中普遍存在的宇宙射 阈能都比较大, 质子辐照在材料中主要产生点缺陷, 线、高能质子、电子、 射线等对器件的可靠性构 如空位或空位团. 本文采用常规正电子湮没寿命谱 成了严重威胁. 近年, 国际上一些主要的研究机构 研究HVPE 方法生长的GaN 厚膜中质子辐照诱生 纷纷开展了GaN 基材料和器件的辐照效应研究, 如