Ni-P和Ni扩散阻障在锡层与铜基材间之界面反应与锡须成长机制.PDF

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Ni-P和Ni扩散阻障在锡层与铜基材间之界面反应与锡须成长机制

NiP和 Ni擴散阻障在錫層與銅基材間之界面反應與錫鬚成長機制 1 1 2 *顏怡文 劉為開 許景翔 1 2 國立台灣科技大學材料科技研究所 優勝奈米科技有限 公司 NSC 93-2218-E-011 -027 本研究以UW-HN60電鍍 NiP和 Ni 兩種不同擴散阻障層,與錫層及鎳/銅基材形成Sn/NiP/Ni/Cu 與Sn/Ni/Ni/Cu 之多層結構材料,先於250℃溫度下迴銲 10 分鐘後 ,再於150℃溫度下進行 0 到 500 小時效處理後 ,探討界面反應與錫鬚成長機制。實驗結果顯示 ,僅在Sn/Ni/Ni/Cu 材料表面 觀察到 錫鬚生成。於 Sn/NiP/Ni/Cu 材料表面並無錫鬚生成,但界面上 生成Ni Sn 相而消耗 NiP 3 4 層中的 Ni ,導致磷原子在 NiP層界面上聚集, 形成Sn/Ni Sn /Ni-P IMC/Ni-P/Cu 之界面形態。此 3 4 一Ni-P IMC的生 成抑制了鎳原子往錫層之擴散通量 。由於 Ni 與Sn 之擴散通量產生之應力差, 為誘發錫鬚成長 之驅動力 。因此在Sn/NiP/Ni/Cu 無法觀察到錫鬚的成長。 關鍵字: 擴散阻障層、界面反應、錫鬚、擴散通量 1 、前言 一般相信錫鬚的成長主要是由熱應力、化學力、機械力等驅動 由於鉛對人體健康的威脅, 2006 年7月 1日起歐盟立 力等差值,誘發壓應力所造成之釋放應力的結果[14-18] 。而 Tu 等 人在相關研究中發現,在沒有化學力、機械力等驅動力的環境下, 法通過WEEE(waste electrical and electronic equipment) 和 界面介金屬化合物成長的過程中會產生壓應力 成為誘發錫鬚生成的 RoHS (restriction of the use of certain hazardous substances) 兩 項重大法案,明令禁止販售含鉛的電子與電機設備產品。因 最主要原因 [19] 。 此,就電子構裝產業而言,以無鉛銲料來取代原本的含鉛銲 若能有效抑制銲點與基材間因界面反應所產生的壓應力,將可 料已成為鋼鐵法律。Sn 是無鉛銲料常用的基材,具有良好 有效抑制錫銲料表面錫鬚的產生。本研究將以 NiP 與Ni做為錫層 的銲接性質,廣泛的被應用於各式無鉛銲料中 [1-5] 。然而 與銅基材的擴散阻障層,探討兩種不同的擴散阻障在錫層與鎳/銅基 Sn在接合過程中與基材發生界面反應,導致介金屬相(IMC) 材間之界面反應與錫鬚成長機制間的關係 ,用以提供有效抑制錫鬚 的生成,使的錫層因相異原子的相互擴散而產生應力差;為 之鍍膜層種類 。 了消彌應力使界面達到穩定,於是在錫層表面像,產生錫 鬚,達到應力釋放進而降低界面之能量。然而在微小間距的

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