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Si100表面吸附Sr的建模与第一性原理计算
44 5 人 工 晶 体 学 报
第 卷 第 期 Vol． 44 No． 5
2015
2015 5 JOUＲNAL OF SYNTHETIC CＲYSTALS May ，
年 月
Si (100) Sr
表面吸附 的建模与第一性原理计算
， ， ，
李 松 李 克 姚立峰 周耐根
( ， 330031)
南昌大学机电工程学院 南昌
: Sr Si (100) ，
摘要 为了研究 在 表面的稳定吸附结构和吸附特性 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势
， Sr Si (100) ， Si (100) Sr 、 、
法 通过改变 在 表面的覆盖度和吸附位置 计算了 表面吸附 的吸附能 电子态密度 电子布
、 。 ， ， ，Sr Si (100)
居 电荷密度和差分电荷密度 计算结果表明 三种吸附位置中 空位的吸附能最低 与 表面的作用力最
， ; ， ，Sr Si (100) ， 。Sr 、Si
大 结构最稳定 覆盖度越低 吸附能越小 与 表面的作用力越大 吸附结构越稳定 原子间的作用
Sr 3d Si 3s 、3p (d-sp3 ) ， 。
力主要由 的 轨道电子和 的 轨道电子杂化耦合作用 杂化 贡献 包括共价键和离子键 共价键
， Sr Sr Sr Si ，
和离子键的强度均随覆盖度增大而减弱 这可能是由于 与 之间的排斥力减弱了 与 之间的作用力 并且
这种排斥力随覆盖度增大而增大。
:Si (100) r ; ;
关键词 ;S 吸附 第一性原理
中图分类号:O469 文献标识码:A 文章编号:1000-985X (2015)05-1363-07
DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2015.05.038
Modeling and First Principle Calculation of Sr
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