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水在β2氮化硅0001面吸附的密度泛函理论研究-摩擦学学报
第 27 卷 第 1期 摩 擦 学 学 报 Vo l 27, No 1
2007 年 1月 TR IBOLO GY J an, 2007
β
水在 氮化硅 ( 0001)面吸附的密度
泛函理论研究
1 1 1 1 1 2
王 玲 , 王学业 , 王寒露 , 王衡亮 , 刘爱虹 , 谭援强
( 1. 湘潭大学 化学学院, 湖南 湘潭 4 11105;
2. 湘潭大学 机械工程学院, 湖南 湘潭 4 11105)
( ) β ( ) β
摘要 : 采用密度泛函理论 D FT 的 B3LYP 方法对 H O 在 Si N 000 1 面上的吸附进行研究 ,采用原子簇模拟
2 3 4
( ) β ( )
Si N 000 1 表面 ,在 63 1G 水平上计算常温常压下 H O 分子在 Si N 000 1 表面的吸附构型和吸附能及电荷变
3 4 2 3 4
β ( )
化 , 同时考察温度 、压强及预吸附 BH 对吸附体系的影响. 结果表明: H O 分子通过 H 原子吸附在 Si N 000 1 面的
3 2 3 4
N 原子顶位时最有利 ;当温度为 100 ℃,压强分别为 3 ×105 ～10 ×105 Pa时 ,吸附能为 189. 59 kJ /mol,与常温常压体系
β ( )
相比,吸附能增加了 57. 19 kJ /mo l,吸附后 O —H 键拉长 ,可能发生解离 ;在 BH 修饰的 Si N 000 1 表面上 , 由于预
3 3 4
吸附导致吸附能减少.
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