高功率器件研发测试平台方案.pdfVIP

微波大功率放大器开发测试平台技术方案 Agilent Technologies 2008.10 目录 第一章：微波功率放大器发展及技术要求……………..3 第二章：微波功率放大器开发测试平台的方案………..7 第三章：微波功率放大器仿真设计系统方案………….10 3.1 功率放大器指标规划 3.2 功率放大器优化仿真设计 第四章：微波功率放大器测试系统方案………………20 4.1 先进网络仪测试技术 4.2 大功率器件测试技术 4.3 功率放大器脉冲状态测试技术 4.4 扫频状态交调参数测试技术 4.5 扫描状态功率压缩点测试技术 4.6 功率放大器非线性测试建模技术 4.7 功率放大器系统参数测试技术 4.8 功率放大器测试系统仪表技术说明 第五章：微波功率放大器开发测试平台配置………...41 第一章：微波功率放大器发展及设计要求 功率放大器对整个电子系统发射机的末端电路，根据系统要求， 功率放大器首先满足完成功率输出，功率放大等指标要求，并实现高 效率和线性放大处理。现在电子系统中采用的功率器件主要包含电真 空和固态放大器两种类型，随着微波功率晶体管技术和制造水平的提 高，固态放大器技术是未来功率放大器的发展发展方向。图 1 为现在 主要微波固态放大器的实现工艺说明，固态放大器常用的微波晶体管 主要有两大类：一类为双极性晶体管，工作频率可以达到 S 波段，另 外一类为场效应管，其中金属氧化物半导体场效应管（MOSFET ）的 特点是线性度高、增益大、效率高和热稳定性好，在移动通信基站应 用中得到广泛采用。而砷化镓场效应管（GaAs FET ）工作频率可以 达到 100GHz，在 C 波段输出功率可以达到 50W，X 波段达到 20W 。 现在新的半导体材料和工艺能实现更大的输出功率和更宽的频率范 围，例如高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高功率密度和高效率等特 点，采用氮化镓（GaN ）的 HEMT 功率管在 X 波段输出功率已能达 到 100W。这样能大大提高整个 1 电子性能并降低实现的成本和体积。 另外为满足电子系统对功率放大器工作效率和线性指标的要求，功率 放大器线性化技术被应用到功率放大器实现中，如前馈技术、数字预 失真技术等，这些放大器包含的技术已超出传统射频微波技术的领 域，覆盖了微波射频技术和 DSP 技术等方面。这些对于先进功率放 大器的研究开发手段和测试系统都提出更高的技术要求，建立先进高 效的功率放大器开发测试平台是功率放大器研发的重要技术保障。 图 1：先进固态功率放大器的半导体技术 表 1 所列是现在典型的射频和微波功率放大器的性能指标。 表 1：典型的微波放大器输出功率性能 产品型号 工作频率 输出功率 功率增益 集电极效率 生产厂家 （GHz ） (W) (dB) (%) ELM5359 5.3~5.9 35 8.5 40 FUJITSU TLM0910 9.5~10.5 20 7.0 34 TOSHIBA MRF286 2000 60 11 55 FREESCALE 功率放大器测试的技术指标包含基本参数测试和系统级参数测 试。基本参数包含：端口匹配参数（反射损耗或驻波比）；增益；输 出功率，效率，功率压缩点；交调失真；功耗；体积等。而系统级参 数测试主要包含输出信号功率；调制精度；带外杂散等。表 2 为功率 放大器典型的测试参数。 表 2 ：功率放大器指标和测试方法 测试参数