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第8 章 光刻胶 第8 章 光刻胶 光刻胶也称为光致抗蚀剂（Photoresist，P. R. ）。 8.1 光刻胶的类型 8.1 光刻胶的类型 一、光刻胶的类型 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以 交联反应为主的光刻胶称为负性光刻胶，简称负胶。 负性光刻胶 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以 降解反应为主的光刻胶称为正性光刻胶，简称正胶。 正性光刻胶 8.2 光刻胶的特性 8.2 光刻胶的特性 1、灵敏度 灵敏度的定义 单位面积上入射的使光刻胶全部发生反应的最小光能量或 最小电荷量（对电子束胶），称为光刻胶的灵敏度，记为S ， 也就是前面提到过的D100 。S 越小，则灵敏度越高。 灵敏度太低会影响生产效率，所以通常希望光刻胶有较高 的灵敏度。但灵敏度太高会影响分辨率。 通常负胶的灵敏度高于正胶。 2、分辨率 光刻工艺中影响分辨率的因素有：光源、曝光方式和光刻 胶本身（包括灵敏度、对比度、颗粒的大小、显影时的溶胀、 电子散射等）。通常正胶的分辨率要高于负胶。 下面讨论分辨率与灵敏度的关系。当入射电子数为N 时， 由于随机涨落，实际入射的电子数在N ± N 范围内。为保证 出现最低剂量时不少于规定剂量的90%，也即 N N ≤10% 。 由此可得Nmin 100 。因此对于小尺寸曝光区，必须满足 S 2 (Lmin ) N min q N min q q L 10 min S S N min q q L 10 min S S 式中，Lmin 为最小尺寸，即分辨率。可见，若灵敏度越高（即 S 越小），则Lmin 就越大，分辨率就越差。 -6 2 例如，负性电子束光刻胶COP 的S = 0.3 ×10 C/cm ，则 其Lmin = 0.073 μm 。若其灵敏度提高到S = 0.03 ×10 -6C/cm2 ， 则其Lmin 将增大到0.23 μm 。 3、对比度 对比度的定义为 ⎛ D ⎞−1 γ lg 100 ⎜ ⎟ ⎝ D0 ⎠ D0 D100 对比度是图中对数坐标下对比度曲线的斜率，表示光刻胶 区分掩模上亮区和暗区的能力的大小，即对剂量变化的敏感程 度。灵敏度曲线越陡，D0 与D100 的间距就越小，则 就越大，γ 这样有助于得到清晰的图形轮廓和高的分辨率。一般光刻胶的 对比度在0.9 ~ 2.0 之间。对于亚微米图形，要求对比度大于1。 通常正胶的对比度要高于负胶。 光进