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聚焦离子束系统操作要点及常见问题

聚焦离子束系统操作要点及常见问题 聚焦离子束系统操作介绍 本章以FEI Helios 600 为例介绍聚焦离子束系统的操作要点, Helios 600 为 扫描电镜和聚焦离子束结合的“双束系统”,在实际使用中,在装入样品后首先 利用电子束观察,并在样品上寻找到感兴趣的区域,然后通过聚焦离子束对该区 域进行精确加工,或配合特定的气体注入系统进行精确沉积或刻蚀,另外结合能 谱可以获得样品成分方面的信息,结合EBSD 可以得到样品晶体结构方面的信息, 结合纳米操纵仪可以对样品进行微纳尺度的操纵等。 本章首先给出Helios 600 双束系统的操作流程,接下来按照操作顺序分节对 每一个操作环节中常见的问题进行具体介绍,首先介绍各种不同类型的样品准备 的方法和应该注意的问题,接着介绍用电子束成像的过程和技巧,包括样品的寻 找,特征点的选择和图像质量的调整等,然后介绍离子束加工和气体沉积的方法 和策略,最后介绍各种附件的功能原理和使用方法等。 FIB 操作流程  装样 1. 准备好样品后,按照桌上实验记录表上要求,认真检查实验前检查项 目和打开腔门前检查项目后点击vent,真空腔充氮气 2. 待真空腔图标变为灰色时,缓缓拉开腔门放置样品,并检查记录表上 放置样品检查项目; -6 3. 等待样品腔真空度<9×10 mbar 方可开始实验;  实验 1. SEM 成像 a) 激活电子束窗口,点击beam on 按钮,待beam on 按钮变成黄色 后,根据材料选择合适的加速电压和束流值,点击暂停按钮,即 可得到SEM 图像; b) 低倍下按住鼠标中键拖动,改变X、Y 坐标找到样品; c) 调整焦距,象散,明暗度,对比度等得到较好的图像; d) 在较高倍数下(2-3K),在样品不同位置调整焦距,根据WD 确定 样品最高点,在样品最高点调焦清晰后点击link Z to FWD 按钮; (注:此时Z 值与WD 值统一) 2. 调整EucentricHight 位置 a) 电子束beam shift 清零,电子束图像打开状态,在2-3K 放大倍 数下,在样品上找到一个特征点将其移至屏幕中央;(若屏幕中心 的十字没有显示,shift+F5 使其显示) b) 在样品台工具栏将Z 设为4.16mm,点击goto,升高样品台,在样 品台上升的过程中,如果系统提醒relink,则需要重新调整焦距 后,再点击relink,继续升高样品台至4.16; c) 倾转样品台至7°,激活CCD 窗口用鼠标中键拖动使特征点回到屏 幕中央; d) 样品台回到0°,检查特征点是否回到屏幕中央,如果偏离5-10 μm,则双击特征点回到屏幕中央,重复步骤c);(重复时可选择 更大的倾转角度) e) 倾转样品台至52°确认特征点在屏幕中间; 3. FIB 加工 a) 激活离子束窗口,将离子束beam shift 清零,点击beam on 按钮, 如果离子束处于sleep 状态,则点击weak up (需要等beam on 旁边的进度条完全变绿,也可以在调整EucentricHight 位置前点 击),根据需要选择合适的加速电压和束流后点击暂停按钮,得到 离子束图像; b) 在离子束窗口,按住shift+左键将2.a)中特征点拖动至屏幕中 央;(如果两个窗口的图像不能对中,则需要重新检查共心高度) c) 选择合适加工的样品位置,打开pattern 栏,根据加工需要选择 合适的pattern 类型,编辑pattern 尺寸等参数,并在 application-value 中选择Si; d) 根据加工尺寸和精度要求选择束流,在加工位置附近调焦,调象 散;快扫一帧图像,确认pattern 的位置后,点击 开始加工; *4. GIS

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