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聚焦离子束系统操作要点及常见问题
聚焦离子束系统操作要点及常见问题
聚焦离子束系统操作介绍
本章以FEI Helios 600 为例介绍聚焦离子束系统的操作要点, Helios 600 为
扫描电镜和聚焦离子束结合的“双束系统”,在实际使用中,在装入样品后首先
利用电子束观察,并在样品上寻找到感兴趣的区域,然后通过聚焦离子束对该区
域进行精确加工,或配合特定的气体注入系统进行精确沉积或刻蚀,另外结合能
谱可以获得样品成分方面的信息,结合EBSD 可以得到样品晶体结构方面的信息,
结合纳米操纵仪可以对样品进行微纳尺度的操纵等。
本章首先给出Helios 600 双束系统的操作流程,接下来按照操作顺序分节对
每一个操作环节中常见的问题进行具体介绍,首先介绍各种不同类型的样品准备
的方法和应该注意的问题,接着介绍用电子束成像的过程和技巧,包括样品的寻
找,特征点的选择和图像质量的调整等,然后介绍离子束加工和气体沉积的方法
和策略,最后介绍各种附件的功能原理和使用方法等。
FIB 操作流程
装样
1. 准备好样品后,按照桌上实验记录表上要求,认真检查实验前检查项
目和打开腔门前检查项目后点击vent,真空腔充氮气
2. 待真空腔图标变为灰色时,缓缓拉开腔门放置样品,并检查记录表上
放置样品检查项目;
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3. 等待样品腔真空度<9×10 mbar 方可开始实验;
实验
1. SEM 成像
a) 激活电子束窗口,点击beam on 按钮,待beam on 按钮变成黄色
后,根据材料选择合适的加速电压和束流值,点击暂停按钮,即
可得到SEM 图像;
b) 低倍下按住鼠标中键拖动,改变X、Y 坐标找到样品;
c) 调整焦距,象散,明暗度,对比度等得到较好的图像;
d) 在较高倍数下(2-3K),在样品不同位置调整焦距,根据WD 确定
样品最高点,在样品最高点调焦清晰后点击link Z to FWD 按钮;
(注:此时Z 值与WD 值统一)
2. 调整EucentricHight 位置
a) 电子束beam shift 清零,电子束图像打开状态,在2-3K 放大倍
数下,在样品上找到一个特征点将其移至屏幕中央;(若屏幕中心
的十字没有显示,shift+F5 使其显示)
b) 在样品台工具栏将Z 设为4.16mm,点击goto,升高样品台,在样
品台上升的过程中,如果系统提醒relink,则需要重新调整焦距
后,再点击relink,继续升高样品台至4.16;
c) 倾转样品台至7°,激活CCD 窗口用鼠标中键拖动使特征点回到屏
幕中央;
d) 样品台回到0°,检查特征点是否回到屏幕中央,如果偏离5-10
μm,则双击特征点回到屏幕中央,重复步骤c);(重复时可选择
更大的倾转角度)
e) 倾转样品台至52°确认特征点在屏幕中间;
3. FIB 加工
a) 激活离子束窗口,将离子束beam shift 清零,点击beam on 按钮,
如果离子束处于sleep 状态,则点击weak up (需要等beam on
旁边的进度条完全变绿,也可以在调整EucentricHight 位置前点
击),根据需要选择合适的加速电压和束流后点击暂停按钮,得到
离子束图像;
b) 在离子束窗口,按住shift+左键将2.a)中特征点拖动至屏幕中
央;(如果两个窗口的图像不能对中,则需要重新检查共心高度)
c) 选择合适加工的样品位置,打开pattern 栏,根据加工需要选择
合适的pattern 类型,编辑pattern 尺寸等参数,并在
application-value 中选择Si;
d) 根据加工尺寸和精度要求选择束流,在加工位置附近调焦,调象
散;快扫一帧图像,确认pattern 的位置后,点击 开始加工;
*4. GIS
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