碳化硅抛光片微管密度无损检测方法编制说明.DOCVIP

《碳化硅抛光片微管密度无损检测方法》 送审稿编制说明 工作简况 任务来源 根据国家标准化管理委员会下发的国标委综合[2011]57号关于下达2011年第一批国家标准制修订计划的通T-469，完成年限2012年。 标准项目申报单位简况 北京天科合达蓝光半导体有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。公司依托于中国科学院物理所十余年在碳化硅领域的研究成果，经过多年卓有成效的研究，公司研发出拥有自主知识产权的碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长、加工技术和专业设备，建立了完整的碳化硅晶片生产线，在国内率先实现了碳化硅晶片的产业化生产，成为全球碳化硅晶片的主要生产商之一。 主要工作过程 本标准从2011年开始起草，形成草案，上报全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 标准编制的原则和依据 标准编制原则 标准的编写格式按国家标准GB/T1.1-2000《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写规则》的统一规定和要求进行编写。 标准的主要内容及依据 适用范围 本标准适用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅单晶片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。样品表面法线方向为0001方向，且其偏离角不应大于±8°。 方法提要 无损检测方法是利用入射光线在微管周围处的折射系数差异来确