AN-9010 仙童 MOSFET 基础.pdf

AN-9010 MOSFET 基础 区增大的原因是栅极和漏极的反向偏压V (=V +V )比栅 概述 DG GS DS 极和源极之间的偏压V 更高。 GS 由于作为电源应用开关器件的双极性功率晶体管(BPT) 具有几项劣势， 因此开发了功率金属氧化物半导体场 效应晶体管 (MOSFET)。功率MOSFET用于开关电源 (SMPS) Drain 、计算机外设、汽车和电机控制等应用。持续不断的研 N 究已使其特性得到改进，从而能取代BJT。本应用指南 大致说明了功率MOSFET并简要介绍了某些飞兆产品的规 格。 P P V DS 公司历史 Gate 场效应晶体管 (FET)背后的理论自20世纪二三十年代开 始就广为人知，20年后双极结型晶体管才被发明出来。 Source 当时，美国的J.E. Lilienfeld建议了一种晶体管模型 ，其每一侧都有两个金属触点，半导体顶部有一块金属 (a) VGS （栅极至源极电压）未提供 板（铝制）。半导体表面的电场由金属板供应的电压形 成，从而能够控制金属触点间的电流。这就是FET的初 Drain Depletion 始概念。由于缺乏合适的半导体材料并且技术不成熟， 因此开发速度很慢。William Shockely于1952年引入了 N region 结型场效应晶体管 (JFET)。Dacey和Ross在1953年对其 作出了改进。在JFET中，Lilienfeld提出的金属场被P- N结取代，金属触点被称为源极和漏极，场效应电极被 P P V DS 称为栅极。对小信号MOSFET的研究持续进行着，但在功 Gate 率MOSFET设计方面并无任何重大改进，直到20世纪70年 V 代才引入了新产品。 GS 1986年3月，由9人组成的飞兆公司开始研究功率MOSFET Source 。20世纪90年代，飞兆使用平面技术开发了QFET®器件 (b) V （栅极至源极电压）已提供