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Analytical Loss Model of Power MOSFET IEEE Transactions on Power Electronics, Vol 21.No.2. March 2006 胡庄主 Jun 23, 2014 Abstract 本文提供了一种精确的解析模型来计算MOSFET(metal-oxide semiconductor field-effect transistor)的功率损耗.器件上电容,以及寄生电感,比如牵涉到功 率级和驱动环路的源极电感,漏极电感等,的非性线在电路中被考虑.另外,开关电 源中经常看到的振铃(ringing)也被考虑,而在传统的LOSS模型中这一点被忽略.在 本文中, ringing loss基于一个清晰的物理方法被分析. 基于这个模型,电路功耗能够被准确地预测.甚至在2M的开关频率下,认真结果和实 验结果也能很好的匹配. 关键词: 有限元分析, MOSFET Introduction 为了研究电路性能,在硬件组装之前,通常需要一个精确的LOSS模型.基于这个模型,许多设计 方案进行比较,这意味着数据量非常大.许多LOSS模型以前已经被提出来获得更好的精确性和 更快的仿真时间.一般来说,LOSS模型可分成三类.一个是物理模型(physics-based).器件的 物理参数,如几何结构,掺杂浓度等,被输入器件的仿真软件,Mdeici and ISE,来做有限元分 析(the finite element analysis,FEA).仿真结果和实验结果非常匹配,但是非常耗时.例如, 一个简单的开环BUCK电路,如1示,Vin=12V,Vo=1.2V,Io=12.5A,fs=1MHz.高边MOS是HAT2168, 低边是HAT2165.驱动器是LM2726.仅仅计算两个开关周期就花费一个工作站两天时间.显然, 这个方法不适合海量数据处理. 第二个层次是行为模型.因为它在准确性和仿真时间上有一个很好的折中,所以在LOSS分析中 经常被用到.多数供应商会提供器件的行为模型(behavior model),象Pspice,SABER.器件通 常被描述成几个关键参数.然而,尽管其仿真速度比有限元分析快许多,但仍然不足以用到海 量数据处理. 最后一个方法是解析模型(也叫数学模型).基于等效电路来推导LOSS的表达式.比起前述两种 方法,这个方法仿真速度是最快的.其主要问题是如何改进准确性. Introduction 最简单的解析模型把开关开通和关断的波形分段线性化.如图2示.不考虑源极电感和器件电容 的非线性特征.因此,其结果不能很好的与实验结果相符,特别在高频应用中.图3显示了解析模 型和实验的波形对比.当开关频率上升时,差别变得很大.主要原因是开关LOSS没有很好的评估. 为改进解析模型的准确性,两个重要的参数应该考虑:电路和寄生电感和器件的非线性电容. 一个重要的参数是上边开关管的共同的源级电感,它是功率极和驱动环路共用的电感,如图1中 Ls.基于这个模型,图4说明了在Ls被考虑后的波形.转换时间显著增加,这对开关LOSS的影响非 常大.但是图4没有考虑由于寄生电感和电容谐振造成的振铃,而振铃在PWM转换器中总是能够观 察到并会造成很大的LOSS.另外一个重要的参数是电容的非线性,这也会影响开关LOSS. 本文考虑了电路中非线性电容和寄生元件.另外,振铃LOSS也被讨论并提出一个简单的计算方法. Model of Nonlinear Capacitance of Devices MOSFET上非线性电容的建模方法在微电子专著中已被提到.这种方法对低压MOSFET同样适用. 模型的输入参数是输入电容Ciss,输出电容Coss,和反向转换电容Crss(以上对Vds=16V时);以及在 Vds=1V时的Coss,Crss.上述参数均可以在datasheet中查到.在Vds=16V时,G,S间电容表示为: Cgs=Ciss_16v – Crss_16v.一般情况下,Cgs可以当成一个常数来看待. 在Vds=16V,1V时,D,S间电容为: Cj 1 C (4) Cds_16v=Coss_16v – Crss_16v; (2) ds V Cds_