2012年半导体物理第四章-2+.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 温度低时，下式分母中BNi/T3/2项增大，杂质散射起主要作用。 　　晶格振动散射与前者相比，影响不大。 　　迁移率随温度升高而增大。 温度继续升高后，Ni增大，因T增大，可以使BNi/T3/2降低，起主导作用的是AT3/2项，晶格振动散射为主，迁移率下降。 图4-14表示锗、硅、砷化镓在室温时迁移率与杂质浓度的关系。 　杂质浓度增大，迁移率下降。 　T不变，Ni越大，μ越小．晶格振动不变时，杂质越多，散射越强，迁移率越小。 表给出较纯锗、硅和砷化镓300K时迁移率数值 电子迁移率均大于空穴迁移率 注意：高补偿材料，载流子浓度决定于两种杂质浓度之差，但载流子迁移率与电离杂质总浓度有关。 设ND和NA分别为硅中施、受主浓度，且NDNA，如杂质全部电离，则该材料表现为电子导电，ND-NA，但迁移率决定于两种杂质的总和：Ni=ND+NA。 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 习惯用电阻率来讨论问题 室温下，本征硅的?约为2.3×105Ω·cm，本征锗（禁宽小）?约为47Ω·cm。 电阻率决定于载流子浓度和迁移率，与杂质浓度和温度有关。 4.4.1 电阻率和杂质浓度的关系 图锗、硅和砷化镓（温度定）300K时?随杂质变化的曲线（非补偿或轻补偿）。 ? ? 轻掺（杂质浓度1016～1018cm-3），室温下杂质全部电离，载流子浓度等于杂质浓度，n≈ND， p≈NA，而迁移率随杂质浓度的变化较小。 ?与杂质浓度成反比，杂质浓度越高， ? 越小，图4-15上近似为直线。 杂质浓度增高时，曲线严重偏离直线。 原因： 一是杂质在室温下不能全部电离（重掺杂简并半导体中情况更加严重）； 二是迁移率随杂质浓度的增加将显著下降。 常通过查表得电阻率和杂质浓度的换算 硅中掺10-6的砷，ND=5×1016cm-3，电阻率约0.2Ω·cm。 由电阻率可确定所含杂质的浓度 　材料越纯，电阻率越高（高度补偿材料例外）。 4.4.2 电阻率随温度的变化 　纯半导体，电阻率由ni定。ni随温度上升急剧增加 室温附近，每增加8℃，硅ni就增加一倍，迁移率变化小，电阻率将降低一半； 　锗增加12℃，ni增加一倍，电阻率降低一半。 本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降（不同于金属）。 掺杂半导体，杂质电离、本征激发同时存在。电离杂质散射和晶格散射机构的存在，电阻率随温度的变化关系复杂，图表示一定杂质浓度硅样品电阻率和温度的关系，大致分为三段： AB段 温度很低，本征激发可略，载流子主要由杂质电离提供，它随温度升高而增加； 　散射主要由电离杂质决定，迁移率也随温度升高而增大，所以，电阻率随温度升高而下降。 BC段 温度继续升高，杂质全部电离，本征激发不显著，载流子基本上不随温度变化，晶格振动散射为主，迁移率随温度升高而降低，所以，电阻率随温度升高而增大。 C段 温度继续升高，本征激发很快增加，大量本征载流子的产生超过迁移率减小对电阻率的影响，杂质半导体的电阻率将随温度的升高而急剧地下降，表现出同本征半导体相似的特征。 电阻率尚受其他影响： 　与材料有关，禁带宽度越大，同一温度下的本征载流子浓度就越低，进入本征导电的温度也越高。 锗器最高工作温度为100℃，硅为250℃，而砷化镓可达450℃。 * * * * * * * * * * * * * N（t）PΔt （4-34） N（t）比t+Δt时尚未遭到散射的电子数N（t+Δt）多N（t）PΔt， N（t）-N(t+Δt)=N(t)PΔt （4-35） 当Δt 0 上式可写为 ? 上式的解为 ? N(t)=N0e-Pt （4-37） N0是t=0时未遭散射的电子数。代入式（ N（t）PΔt ），得t～（t+dt）时间内被散射的电子数为