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本章主要内容 4.1 二氧化硅薄膜概述 4.2 硅的热氧化 4.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备 4.4 热氧化过程中杂质的再分布 4.5 氧化层的质量及检测 4.6其它氧化方法 4.1二氧化硅薄膜概述 二氧化硅是微电子工艺中采用最多的介质薄膜。它具有硅的良好亲和性、稳定的物理化学性质、良好的可加工性以及对掺杂杂质的掩蔽能力。 二氧化硅薄膜的制备方法有： 热氧化 化学气相淀积 物理法淀积 阳极氧化等 热氧化是最常用的氧化方法，需要消耗硅衬底，是一种本征氧化法。 4.1.1二氧化硅结构 SiO2基本结构单元 4.1.1二氧化硅结构 4.1.2二氧化硅的理化性质及用途 密度：是SiO2致密程度的标志。密度大表示致密程度高，约2~2.2g/cm3； 熔点：石英晶体1732℃，而非晶态的SiO2无熔点，软化点1500℃； 电阻率：与制备方法及所含杂质有关，高温干氧可达1016Ω·cm，一般在107~1015 Ω·cm； 介电特性：介电常数3.9； 介电强度：100~1000V/μm； 折射率：在1.33~1.37之间； 腐蚀性：只和HF酸反应，与强碱反应缓慢。 4.1.3二氧化硅薄膜中的杂质 4.1.4杂质在SiO2中的扩散 杂质SiO2中在扩散服从扩散规律，扩散系数为： DSiO2=D0exp(-ΔE/kT) Do为表观扩散系数，Δ