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减薄/抛光(CMP)工艺培训
查强
1
1 工艺目的
2 工艺原理
3 减薄原理及设备
4 研磨、抛光原理及设备
5 工艺过程检测及常见问题
2
减薄/抛光(CMP)工艺目的
工艺目的:
通过减薄/研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯
片散热效果。
由于减薄后的衬底背面存在表面损伤层，其残余应
力会导致减薄后的外延片弯曲且容易在后续工序中
碎裂，从而影响成品率。因此在减薄后应对衬底背
面进行抛光。
减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。
3
工艺原理
• 通过机械加工和化学反应的方法对样品进行一系列减薄→研磨→
• 通过机械加工和化学反应的方法对样品进行一系列减薄→研磨→
抛光工艺,使样品表面到达所需要的厚度/平整度/粗糙度.
抛光工艺,使样品表面到达所需要的厚度/平整度/粗糙度.
•
4
可加工对象:
• Si / GaAs / Sapphire / InP 等相关材料
2
• 尺寸：1×1cm －6’’
• 常规工艺: 减薄/抛光到80-100um
• 粗糙度: 5-20nm
• 平整度: ±3um
5
工艺流程图
原始厚度
样品清洗 上蜡粘片 压片
测量
抛光 研磨 减薄 二次厚度测量
融蜡取片 样品清洗
6
测厚仪
7
加热台
8
双头晶片上蜡机
• 原理：气动加压
• 压力:0-0.6MPa
• 水温:5-40℃
• 时间:
0-1800sec
• 行程：
60mm
9
设备简介
• 制造商:AM Technology
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