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二输入与非门或非门版图设计
课程名称
Course
集成电路设计技术 项目名称
Item 二输入与非门、或非门版图设计
与非门电路的版图:
.spc文件(瞬时分析):
* Circuit Extracted by Tanner Researchs L-Edit V7.12 / Extract V4.00 ;
* TDB File: E:\cmos\yufeimen, Cell: Cell0
* Extract Definition File: C:\Program Files\Tanner EDA\L-Edit\spr\morbn20.ext
* Extract Date and Time: 05/25/2011 - 10:03
.include H:\ml2_125.md
VPower VDD GND 5
va A GND PULSE (0 5 0 5n 5n 100n 200n)
vb B GND PULSE (0 5 0 5n 5n 50n 100n)
.tran 1n 400n
.print tran v(A) v(B) v(F)
* WARNING: Layers with Unassigned AREA Capacitance.
* Poly Resistor
* Poly2 Resistor
* N Diff Resistor
* P Diff Resistor
* N Well Resistor
* P Base Resistor
* WARNING: Layers with Unassigned FRINGE Capacitance.
* Pad Comment
* Poly Resistor
* Poly2 Resistor
* N Diff Resistor
* P Diff Resistor
* N Well Resistor
* P Base Resistor
* Poly1-Poly2 Capacitor
* WARNING: Layers with Zero Resistance.
* Pad Comment
* Poly1-Poly2 Capacitor
* NMOS Capacitor
* PMOS Capacitor
* NODE NAME ALIASES
* 1 = VDD (34,37)
* 2 = A (29.5,6.5)
* 3 = B (55.5,6.5)
* 4 = F (42.5,6.5)
* 6 = GND (25,-22)
M1 VDD B F VDD PMOS L=2u W=9u AD=99p PD=58u AS=54p PS=30u
* M1 DRAIN GATE SOURCE BULK (47.5 14.5 49.5 23.5)
M2 F A VDD VDD PMOS L=2u W=9u AD=54p PD=30u AS=99p PS=58u
* M2 DRAIN GATE SOURCE BULK (39.5 14.5 41.5 23.5)
M3 F B 5 GND NMOS L=2u W=9.5u AD=52.25p PD=30u AS=57p PS=31u
* M3 DRAIN GATE SOURCE BULK (47.5 -18 49.5 -8.5)
M4 5 A GND GND NMOS L=2u W=9.5u AD=57p PD=31u AS=52.25p PS=30u
* M4 DRAIN GATE SOURCE BULK (39.5 -18 41.5 -8.5)
* Total Nodes: 6
* Total Elements: 4
* Extract Elapsed Time: 0 seconds
.END
与非门电路仿真波形图(瞬时分析):
.spc文件(直流分析):
* Circuit Extracted by Tanner Researchs L-Edit V7.12 / Extract V4.00 ;
* TDB File: E:\cmos\yufeimen, Cell: Cell0
* Extract Definition File: C:\Program Files\Tanner EDA\L-Edit\spr\morbn20.ext
* Extract Date and Time: 05/25/2011 - 10:03
.include H:\ml2_125.md
VPower VDD GND 5
va A GND 5
vb B GND 5
.dc va 0 5 0.02 vb 0 5 0.
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