电流源负载单级放大器仿真.docVIP

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电流源负载单级放大器仿真

电流源负载单级放大器仿真 一. Hspice简介 HSPICE 是Meta-Software 公司为集成电路设计中的稳态分析,瞬态分析和频域分析等电路性能的模拟分析而开发的一个商业化通用电路模拟程序,它在伯克利的SPICE(1972 年推出),MicroSim公司的PSPICE (1984 年推出)以及其它电路分析软件的基础上,又加入了一些新的功能,经过不断的改进,目前已被许多公司、大学和研究开发机构广泛应用。 设计一电流源负载共源放大器,研究偏置电压,电流,MOS管尺寸对其性能的影响。电路如图1。 VDD=5V CL=10pf IREF=100uA AV=35dB GB=9MHz 设计思路 1. 先由指标值(主要是增益与带宽)由公式倒推出大致符合设计要求的NMOS与PMOS的W/L的值。 2. 写整个电路的网表,并用Hspice仿真验证所得到的W/L的值是否满足指标值,若不满足,则适当修改W/L的值,直至大致满足指标值。 直流分析: (1) 其中 电路正常工作时,所有MOS管工作在饱和状态,即 (2) 由此可以得出M1工作在饱和区的条件是: (3) 同理可以得出M2工作在饱和区的条件是: (4) 因此,由(3)、(4)式我们可以得到输出电压的大概范围: (5) 根据(1)式,节点1处的工作电压表示为: (6) 代入(5)式可得 (7) 交流分析: 我们可以推导出电路的低频电压增益为: (8) 其中 -3dB点可表示为 (9) 即可得到单位增益带宽 (10) 四.仿真调试 根据(8)式,由指标和已知的参数值可以算出在30左右。且由(8)式可知,增大可以提高放大器增益。 所以先设置初始宽长比: (W/L)N = 30/1 (W/L)P = 10/1 交流分析中再通过程序改变NMOS管的宽长比,观察放大器增益的变化情况。 直流工作点分析 仿真网表: .title test1 .lib D:\test1\h05mixddst02v23.lib tt .option post probe Vdd Vdd 0 5v Iref 1 0 100u Cl Vout 0 10p M3 1 1 Vdd Vdd mp W=10u L=1u M2 Vout 1 Vdd Vdd mp W=10u L=1u M1 Vout Vin 0 0 mn W=30u L=1u Vin vin 0 5 .DC Vin 0 5 0.1 .measure dc trans when v(Vout)=2.5 .print dc v(Vout) .plot dc v(Vout) .end 扫描直流工作点,以确定静态工作点电压,如图2: 图2 传输特性曲线 根据共源极放大器原理,最佳静态工作点在输出值为VDD/2=2.5V处。这里通过.measure语句来精确得到Vout=2.5V时的输入电压值,Vin=1.09V,如图3。 图3 最佳静态工作点电压 交流仿真 仿真网表: .title test1 .lib D:\test1\h05mixddst02v231.lib tt .option post probe Vdd Vdd 0 5v Iref 1 0 100u Cl Vout 0 5p .param m=1 .param wn=m*30u M3 1 1 Vdd Vdd mp W=10u L=1u M2 Vout 1 Vdd Vdd mp W=10u L=1u M1 Vout Vin 0 0 mn W=wn L=1u Vin Vin 0 dc 1.09 ac 1 .ac dec 100 1k 100meg sweep m 1 3 0.5 .measure ac vdbmax max vdb(Vout) .measure ac f_3db when vdb(Vout)=vdbmax-3 .measure ac GB when vdb(Vout)=0 .print ac vdb(Vout) vp(vout) .plot ac vdb(Vout) vp(vout) .end 通过增加NMOS管的栅长L,进行交流仿真。由(8)式推导出,L增大时,低频增益会减小;带宽会减小以及单位

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