100 mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究.pdfVIP

第44卷第2期 人 工 晶 体 学 报 v。1．44N。．2 OFSYNTHETIC 三015年2月 JOURNAL CRYSTALS February．2015 100 mmGaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究 高汉超，尹志军，张朱峰 (南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室。南京210016) mm 摘要：研究了100 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制。通过选择控制参数 和控制周期，提高了外延材料性能的重复性和稳定性。12个样品方阻的标准差为0．53％，全部偏差1．66％。通过 优化生长工艺有效的降低了样品表面颗粒，样品表面颗粒数量减小到612／片，这些参数均达到或超过国外主流外 延厂商水平。 关键词：GaAs赝配高电子迁移晶体管；分子束外延；控制；稳定性 中图分类号：TN304