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2017-10-09 发布于北京
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GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应.pdf

第44卷第10期人工晶体学报 V01．44No．10 GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应徐家跃，王冰心，金敏，房永征 (上海应用技术学院材料科学与工程学院，上海201418) 摘要：作为第二代半导体材料，GaAs晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域，并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺。本文总结了GaAs晶体的最新研究进展，探讨了各种生长方法的特点及其应用，重点报道了GaAs晶体坩埚下降法生长的研究成果。坩埚下降法具有一炉多产、易操作、低成本等优点，已成为GaAs晶体产业化的重要途径。掺杂不仅能调节GaAs晶体的性能，还会对晶体生长产生重要影响。本文还给出了Bi、si、zn等掺杂GaAs晶体生长结果，探讨了它们的性能、缺陷以及在不同领域里的应用。关键词：坩埚下降法；晶体生长；砷化镓晶体；掺杂中图法分类号：0781 文献标识码：A and EffectsofGaAs the Method Growth Crystalsby Pulling-down Doping XU Min，FANGYong·zheng Jia．yue，WANGBing—xin。jlN Scienceand Institute ofMaterials ofTechnology，Shanghai201418) (School Engineering，Shanghai 10June (Received2015) has discoveredalmost60 and asthe2nd semiconductorbeen years Abstract：GaAscrystal generation nowhasbeen in and havebeen laser，communicationdisplay．GaAscrystals appliedcomprehensively method(HB)， Czochralski(LEC)，HorizontalBridgman successfullygrownbyLiquidEncapsulated VerticalGradient other this ofGaAs progress Freezingmethod(VGF)andtechniques．Inpaper，recent were andindustrial applications．The crystals reviewed，includinggrowthtechnique