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HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响.pdf
第40卷第4期 人 工 晶 体 学 专艮 v。1．40N。．4
OFSYNTHETICCRYSTALS 1
20J 1年8月 JOURNAL Au趔st，201
HVPE生长室气流分布模拟及GaCI载气流量
对GaN单晶生长的影响
张 雷，邵永亮，吴拥中，张浩东，郝霄鹏，匾囵
(山东大学品体材料国家承点实验室，济南250100)
分布的影响，发现GaCI载气流量是影响GaCI和NH，在衬底上均匀分布的藿要因素。采用HVPE方法在不同GaCI
载气流量下生长GaN单晶，研究了GaCl载气流量对GaN单晶质量的影响，得到了与模拟一致的结果。
关键词：模拟；GaN；氢化物气相外延；气流分布
中图分类号：0614 文献标识码：A
HVPEReactorandInfluenceofGaCl
SimulationofGaSDistributionin
CarrierGasFlowRateontheGaN Growth
Crystal
ZHANG
Lei，SHAO Yong-zhong，ZHANGHao·面，lg，
yong—liang，WU
HAO
Xiao-peng，匝亚圈
(State of 250100，China)
KeyLaboratoryCrystalMaterials，ShandongUniversity，Jinan
2 201 8 201
JuneI)
(ReceivedApril1，accepted
carrier
this reactorwassimulatedFluentsoftware．TheinfluenceofGaCl
Abstract：In
paper，HVPE by
flowrateonthe distributionofHVPEreactor resultsshowthatGaClca而er
gas gas was,investigated．The
Was
have theunifoⅡrIdistributionofGaClandNH，onsubstrate．GaN
flowrate effecton
gas great crystal
flowrate
HVPEmethodatdifferentGaClcarrierflowrate．TheinfluenceofGaClcarrier
grownby
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