MOCVD生长GaN力学性能研究.pdfVIP

第36卷 第3期 稀有金属材料与工程 、bl_36．No．3 2007年 3月 RAREME7rALMArER工^LSANDENG”iEERING March2007 MoCVD生长GaN力学性能研究 魏同波，王军喜，李晋闽，刘 黼，段瑞飞 (中科院半导体研究所，北京100083) 分斩了薄膜表面形貌，利用继米压瘿仅和uMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明， 薄膜|；【二维模式均匀生长，裘面平整，硬度达22．1M轴，弹性模景为299．5GPa，与衬底结合紧密，临界载荷达1，6N， 与GCrl5钢球对磨时摩擦系数仅为0．13，与Si3M陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿。 关键镒：G矗N；MOCvD；形虢{机械性能 304．2+3 中图法分类号：TN 文献标识码：A 文章编号：l002．185X(2007)03．0416一04 1 前 言 作为第3代半导体材料的代表，GdN等III—v族岬，背景载流子浓度在1×1016cm_3，生长时反应室压 佬台物是崖接带隙半导体材糕，、具有蓉带宽度大、击 力为2．7x1舻pa，V／雕流量比为18∞～2000。 穿场强大、电子漂移饱和速度高和导熟性能电好等优 利用NanoscopeIⅡ型原子力显微镜观察GaN外延 点，在蓝、绿光和綮外光发光二极管(LED)、短波长 nN 激光二极管(LD、紫静探测嚣和功率电子器件等多膜豹硬度和弹性模量，载荷帮位移精度分别达到75 个领域都有广泛的应用前景【¨l。由于自然界缺乏 GaN单晶材料，体椎晶GaN材料的生长又非常困难， mm 当前主要是在蓝宝石(础203)，sic，GaAg。si等衬验机评价GaN膜的摩擦学性能，摩擦对偶分列为3 底上异质外延生长，由于晶格常数和热膨胀系数的差 异，外延层中受到了压应力或张应力，不可避免的产生 动速度为O，1m，s，单次滑动行程为5mm，频率为5 了高密度的缺陷和裂纹【删，严重影响了器件的性能。 re“s，法向载荮2 当前对GaN材料的研究主要集中在微电子和光 上进行，采用Scratch模式，滑动速度为2mm／min，载 电子方硝，其力学性能方面的研究很少【9·10】，但也是 荷加载率为O，92 根重要的，如异囊外延层应力的分布和形交，裂纹携 摩擦试验鹾薄膜形羲。 产生、扩展，衬底减薄、剥离对外延层的影响等等， 3结果与讨论 都与GaN的力学性能息息相关，鉴于此，本实验利用 纳米压瘊搜【l对G枞的硬度、弹性模量进行了溅量， 3．{表面彩靛分析 并进行了划痕测试和摩擦学性能研究，以期对其力学 性能深入了解。 整，未有大的缺陷坑，存在梯圈状的原子层台阶，台 阶定向有规则排列，黑波浪式缔构，鼠截面分析中可 2试验 以看出，表面每一层台阶高度为O，6m左右，大约是 2层GaN单原予层的厚度，这种台阶流模式的生长为 采用MOCVD(Metal．O培anicV卸orDeposition)技 术，在500 二维平面生长，显示得囊了高质鳖的井延蔗。 pm蓝囊石衬底(0001)面上外延生长非故意 掺杂GaN薄膜，三甲基镓(TMGa)和氨气分别作为Ga3．2显微力学探针分析 和N源，载气采用搿