SiO2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响.pdfVIP

下载本文档

1
0
约2.6万字
约 5页
2017-10-25 发布于北京
举报
版权申诉

SiO2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响.pdf

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

SiO2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响.pdf

第卷第期半导体学报， 23 3 Vol .23 No . 3 2002 年月， 3 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Mar . 2002 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 膜的薄层化对自组织生长纳米量子点 SiO2 Si 发光特性的影响， 1 2 3 3 3 彭英才竹内耕平稻毛信弥宫崎诚一（河北大学电子信息工程学院，保定） 1 071002 （中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，北京） 2 100083 （日本广岛大学电气工学系，大学院先端物质科学研究科） 3 摘要：采用低压化学气相沉积方法，依靠纯气体的热分解反应，在表面上自组织生长了纳米量子点 SiH SiO Si . 4 2 实验研究了膜的薄层化对纳米量子点光致发光特性的影响结果表明，当膜厚度减薄至以下时， SiO Si . SiO 6nm Si 2 2 纳米量子点中的光生载流子会量子隧穿超薄层，并逃逸到单晶衬底中去，从而减少了光生载流子通过 SiO Si SiO / 2