不同气体电浆处理後之奈米碳管特性研究-NPUCSIE.PDF

第七屆離島資訊技術與應用研討會論文集 不同氣體電漿處理後之奈米碳管特性研究 葉忠信 建國科技大學電子工程系 csyeh@ctu.edu.tw 論文摘要 用，陰極陣列材料 (場發射子)須具備能夠在低起始 2 本研究利用熱化學氣相沉積法(Thermal CVD) 電場下操作，且能得到 1mA/cm 以上的電流密度， 來成長奈米碳管(CNT) ，主要的碳原子來源為甲烷 能夠大面積化且花費成本低廉等特性 ，而CNT均具 (CH ) ，並以氬氣(Ar)當載氣，將碳源氣體 CH帶入 備以上之條件，因此近來利用 CNT來當做場電子發 4 4 爐管中反應，於高溫時經由觸媒裂解成碳原子及氫 射領域的研究，已經成為眾人的研究焦點，許多關 並成長出典型的CNT 。之後利用四氟化碳 於CNT的綜合研究和場發射的機制，已經被論證與 (tetrafluoromethane, CF4電漿及氬氣) (Ar)電漿對典 討論 [1-3] 。但是，仍然有許多困難問題需要被解 型的 CNT進行後處理。我們使用了拉曼光譜 決，例如CNT的場發射的真正機制為何？如何成長 (Raman spectroscopy) 、掃瞄電子顯微鏡(SEM)來分 適用於電子元件的高品質CNT ？如何控制CNT的 析經過電漿處理後的CNT微結構。另外，由場發射 成長方向？如何控制原子架構排列？如何控制薄 的分析後， CNT經過CF電漿處理 5 分鐘後的場發 膜表面形態和薄膜分佈的均勻性？如何在低溫下 4 射電流達到 9.5mA/cm2 ，比未經過電漿處理的場發 成長高度結晶的CNT及降低含碳的雜質粒子的形 射電流 0.8 mA/cm2 大了近12倍，而Ar電漿處理 5 成等等。這些相關的研究都與CNT的場電子發射特 分鐘後的場發射電流只有3 mA/cm2 。這個相當大 性有著極大的關聯性。而CNT之場發射機制，目前 的差異可以歸因於 CF電漿處理之後所發現的聚 被廣泛引用之理論，主要是利用Fowler-Nordheim 4 集現象，提供了許多的場發射點。 方程式[4]來描述，其主要機制為電子在高的高寬 關鍵詞： 奈米碳管(CNT) 、場發射(Field emission) 、 比(high aspect ratio)奈米碳材中，與石墨相當之功 熱化學氣相沉積(Thermal CVD) 、電漿(Plasma) 函數(work function) ，利用量子穿隧效應(quantum tunneling) 而穿隧到真空中。其中決定場發射效應 Abstract 最重要之兩個因素，一為材料之功函數，另一個為 In this work, thermal chemical vapor 幾何增益因子(geometric enhancement factor) 。因 deposition was utilized to grow carbon nanotubes 此，CNT的場發射特性與碳管的功函數與表面的形 (CNTs). Methane was the main source for carbon, 態有相當密切的關聯性，為了提升 CNT的場發