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不同生长方向的GaN纳米线的可控制备与性能表征.pdf
第44卷第2期 人 工 晶 体 学 报 v01．44N。．2
兰Q!!生兰旦 !Q型垦堕垒坠Q!璺!堕!型兰!!鱼曼旦!兰!垒坚 !!坠里!坚!兰Q!!
不同生长方向的GaN纳米线的可控制备与性能表征
吴东旭1，郑学军2，程宏斌2，李佳1，罗晓菊2
(1，上海理工大学机械工程学院，上海200093；2．上海理工大学材料科学与工程学院，上海200093)
摘要：采用化学气相沉积法，通过改变催化剂和衬底，以Ga：0，和GaN的混合粉末为镓源制备出了不同生长方向的
GaN纳米线，制备的平躺于衬底的GaN纳米线的直径约为60nm，长度为10斗m到30Ixm之问。垂直于衬底的
GaN纳米线阵列的直径约为300Bin，长度约为5¨m。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光
谱(PL)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行了分析表征，结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米
线。通过改变催化剂和衬底等生长条件，研究了衬底和催化剂对纳米线生长方向的影响，为以后的大量制备以及
纳米器件的制作提供了依据。
关键词：GaN纳米线；化学气相沉积；催化剂；衬底
中图分类号：0614．37 文献标识码：A
FabricationandPerformanceCharacterizationof
Controlled
GaNNanowires
Oriented
WU Hong-bin2，LIJia‘，LUOXiao-ju2
Dong一驰1，ZHENGXue-jun2，CHENG
of of for
(1．SchoolMechanical 200093，China；
Engineering，UniversityShanghaiScience＆Technology，Shanghai
2．SchoolofMaterialsScienceand of for 200093，China)
Engineering，UniversityShanghaiScience＆Technology，Shanghai
18
(ReceivedSeptember2014)
nanowireswithdifferent orientationswere chemical
GaN growth synthesizedby
Abstract：High—quality
nano—
undertwodifferent andsubstrate．The
vapourdeposition(CVD)methodconditions，i．e．catalyst
structureswerecharacterized electron
byScanning miroscopy(SEM)，X—ray
electron
resolutiontransmissionelectron GaNnanowireslie
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