硅片切口尺寸测量方法讨论稿-中国有色金属标准质量信息网.DOCVIP

前 言 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203）归口。 本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司。 本标准主要起草人：杜娟、孙燕、卢立延。 硅片切口尺寸的标准测量方法 1.目的和范围 1. 1本测量方法是一种判定硅片基准切口是否满足规范要求的非破坏性测试方法。 1. 2 测试值是以国际单位为标准单位。标注在括号中的数值仅供参考。 1.3 在集成电路工厂的各种不同过程设备中精确定位硅片位置。 1.4 按照特定晶向滚磨硅片边缘形成的切口是一种对硅片正确定位的方法。切口临界尺寸的精度控制着可能定位精度。 1. 5本标准不打算涉及安全问题，即使有也与标准的使用相联系。标准使用前，建立合适的安全和保障措施以及确定规章制度的应用范围是标准使用者的责任。 2.干扰 2.1 切口边缘处任何其他材料沾污或者不平的区域通过光路会产生扭曲的投影图像，从而导致检测出错误的切口尺寸。 2.2切口对于硅片中心的位置在精确定义切口参数中是很重要的。 2.3磨削工具的磨损以及过程变差可能导致切口边缘不直，切口顶点的半径不是唯一的。在这种情况下，要特别关注定位切口投影图像在模板上的正确位置。 3.规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 3.1 国家标准 GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T 12964 硅单晶抛光片 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表 3.2 SEMI 标准 SEMI M1 硅单晶抛光片规范 SEMI MF1152硅片切口尺寸的测试方法 4术语 其他硅技术涉及的术语在GB/T14264半导体材料术语中定义。 5 测试方法概述 5.1将硅片放在载物台上，切口的投影图像与显示屏上一系列轮廓版的投影相比较。 5.2首先，使片子切口边缘的投影与用来定位硅片位置定位销的投影相切。切口底部的投影必须在切口形状和深度模板已设定线段的上面或下面，并且硅片边缘的投影必须在模板另一条已设定线的上面或下面。 5. 3 定位硅片，使硅片的边缘和模板中硅片外围线重合。切口底部的投影必须在模板上切口最深和最浅线之间。 5.4切口边缘的投影与切口角度模板上一系列切口角度相比较。其中选择模板中与切口边缘吻合最好的那个角的角度值作为切口的角度。 5.5本方法不提供切口顶端的曲率半径的测试。 6 设备 6.1 光学投影仪——放大倍数20倍和50倍。显示屏必须足够大可以显示将5X5MM的区域放大20倍，或2X2mm的区域放大50倍后的投影图像。 6.2支架——用于固定待测试的硅片。使硅片的表面垂直于观察方向，并且硅片可以围绕它的中心旋转。支架的水平和垂直运动分别平行和垂直经过切口的硅片直径。 6.3模板——标有定义切口尺寸界限的线段。测试硅片时需要两个模板。 6.3.1 切口形状和深度模板有两部分，它们定义了：（1）切口底部和硅片边缘相对于定位点中心的位置和（2）切口底部相对于硅片边缘的位置。每一个直径的待测试片需要一个单独的模板。切口形状和深度模板例子见下图。 6.3.2 切口角度模板中的角度从88度至96度，分刻度为1度。 6.3.3 建立模板的方法见第9部分 6.4校准板或精度棒——带有刻度。尺寸与切口的深度大致相同，用于精确建立设备的放大倍数。 6.5 尺子——长度是150mm，最小分刻度是0.5mm或更小。 7 抽样 7.1除非有其他要求，按照GB/T2828取样。检查水平应由供需双方协商。 8 放大倍数的确定 8.1 调整投影仪到理想放大倍数。使用已知精确尺寸的校准板或精度棒，按照制造厂商的要求确定物像放大倍数，用三位有效数字表示 9模板准备 9.1用放大倍数与每一个选定的模版尺寸相乘。 9.2 准备一个透明材料的模板。尺寸与9.1要求的尺寸相同 。并且投影图像的精度达到±0.5mm或更高。 9.3 如图一，在切口形状和深度模板上标注水平和垂直轴。 10.步骤 10.1 将放大倍数设定为20倍。 10.2将支架固定在载物台上，确保切口在9点的位置。支架在载物台上垂直和水平方向的运动分别平行和垂直于通过切口的直径。 10.3将切口形状和深度模板放在投影仪屏幕上。调整水平线和垂直线，使固定销的轮廓在九点位置。 10.4 将第一个待测样品放在支架上，正面向上。 10.5通过平面横向给进（水平）及定位旋转来调整支架，使模板上固定销的边缘与切口边缘的投影相切。 10.6确保切口底部的投影