加高喷头MOCVD压强对生长影响的研究.pdfVIP

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2017-10-13 发布于北京
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加高喷头MOCVD压强对生长影响的研究.pdf

第44卷第11期人工晶体学报 No．11 V01．44 OFSYNTHETICCRYSTALS 2015年11月 JOURNAL November，2015 加高喷头MOCVD压强对生长影响的研究徐龙权，唐子涵，曹盛，张建立 (1．南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，南昌330047；2．南昌大学信息工程学院，南昌330031) 摘要：以低速旋转、加高喷头、垂直喷淋的MOCVD反应室为对象，运用三维数学输运模型分析与计算。在模拟过程中分析了压强的变化对高喷头反应室流场的影响，着重分析与讨论了操作压强变化与GaN薄膜的沉积一致性及平均生长速率的关系，其次探讨了实验值与模拟值对比结果，从而对薄膜的均匀性及平均生长速率进行一定的预测，最终得到以基准工艺参数为前提的最佳压强设定范围为6650—13300Pa。模拟跟实验结果表明：减小压强有利于薄膜的均匀性，压强较大时，平均生长速率大，但压强较大时极易引起流场不稳。关键词：MOCVD；加高喷头；GaN生长；均匀性；数值模拟中图分类号：覃’B4’ 文献标识码：A on InfluenceofPressure Growth MOCVDReactor E讲t嬲ial in强gh-showerhead Zi-han，CAO Jian-li XU幻，培一quan，TANG Sheng，ZHANG ResearchCenterforLEDOffSi (1．NationalEngineeringTechnology Substrate，NanchangUniversity，Nanchang330047，China； 2．SchoolofInformation Engineering，NanchangUniversity，Nanchang33003I，China) 24 28 (ReceivedJune 2015) 2015，acceptedSeptember 3Dmathematicalmodelwas todescribethemass ofGaN Abstract：A developed transportprocess growth andto theeffectof onflowfledinthevertical MOCVDreactoratlow study pressure high-showerhead modelfocusedontheinfluenceof onGaNfilm rateand rotatingspeed．The pressure growth uniformity． The betweenthesimulativeresultsand observationsindicatthatGaN rate comparison