基于ECR-PEMOCVD生长的稀磁半导体(Ga,Mn)N的特性.pdfVIP

宋世巍等：基于ECR-PEMOCVD生长的稀磁半呈体蜂坠Mn!N的特性 1473 宋世巍，秦福文，吴爱民，何 欢，王叶安，姜 辛，徐 茵，顾 彪 (大连理工大学三束材料改性重点实验室，辽宁大连116024) 摘 要： 利用电子回旋共振一等离子体增强金属有机 不足以在外延层中形成第二相，可生成单相的DMS薄 膜h 物化学气相沉积(ECR—PEMOCVD)技术，在蓝宝石 平衡条件下生长出单相的(Ga，Mn)N薄膜，并研究其 (旺一Al：03)衬底上生长出Mn含量约为3％的(Ga， Mn)稀磁半导体薄膜。利用反射高能衍射(RHEED)、晶体结构、光学和磁性特性。 原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)表征(Ga， 2 实 验 Mn)N薄膜的表面形貌和结构特征。(Ga，Mn)N薄膜 具有良好的(0002)择优取向和纤锌矿结构，表面形貌 实验是在自行研制的配有RHEED原位监测设备 是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而 成。光致发光(PL)测量发现3．27eV附近出现施主一 受主对(DAP)发光峰。超导量子干涉仪(SQUID)测 量表明薄膜在室温下具有铁磁性，没有发现超顺磁性 和自旋玻璃态，居里温度可达400K。 温度较低，所以不像Nz和Hz那样直接参与放电室中 关键词： (Ga．Mn)N；ECR-PEMOCVD；室温铁磁的气体放电而是在放电室的下游用送气环把它们直接 性；居里温度 输送到衬底表面[7]。 中图分类号：TN304．2；TN304．7文献标识码：A 实验分为衬底清洗、衬底氮化、缓冲层生长、外延 文章编号：1001-9731(2009)09-1473-04层生长4个步骤。在生长前，先对衬底进行常规的化 学清洗，以除掉衬底表面的油污等杂质。之后对已作 1 引 言 近年来，稀磁半导体(DMS)因在磁光器件、量子等离子体原位清洗，以清除损伤层和其它杂质。然后 计算机等方面具有很大的潜在价值，得到了广泛的关 在500℃下用氮等离子体进行氮化，产生1层A1N浸 注。自1989年Munekata等人[11成功生长出了(In， 润层以降低晶格失配。接着在相同温度下生长1层约 Mn)As后，一些Ⅱ一Ⅵ、Ⅲ一V族DMS相继得到了制20nm的GaN缓冲层，用以缓和晶格失配，为下一步外 备。2000年，Dietl等D]在理论上计算出具有居里温度延生长(Ga，Mn)N薄膜提供相对完美的模板。外延 (t)高于室温的DMS，使宽带隙半导体成为很具前景 的DMS材料，尤其是(Ga，Mn)N更以超过室温的L 和本底材料GaN可以在高温、大功率光电器件领域广 泛应用而得到密切的关注。目前，Overberg等[3]用分 子束外延(MBE)生长出Mn含量为7％的铁磁性(Ga， M11)N样品，但L只有10～25K，Theodoropoulou 并停止Nz和H。放电，把样品温度降到室温。使用 等[‘3用离子注入方法得到Mn含量为3％～5％的 (Ga，Mn)N样品，测得样品具有铁磁性且Tc达结构进行表征，利用电子探针测量Mn含量，用波长为 250K，Leed等嘲报道了Mn扩散方法制备的(Ga，Mn) N样品，在323K时观察到一个反常霍尔效应，丁c大约发源，用SQUID测量薄膜的磁性。 位于220～370K之间；Sonoda等[6]采用MBE方法制 3结果与讨论 备Mn浓度介于6％～9％、t高达940K的(Ga，Mn) N铁磁材料。 稀磁半导体的低温生长是关键技术，因为只有在 低温非平衡生长条件下才能引入超出饱和固溶度( 缓冲层图像呈条纹状，说明表面比较平整，显示了二维 1018～1019 ClTI-3