固体物理-4固体的电性质-7.pdf

非平衡载流子 在外界的作用下，半导体中的电子浓度n和空穴浓 度p有可能偏离平衡值。 大于：存在过剩载流子 2 np  ni 小于：载流子不足 例如半导体的本征光吸收产生电子—空穴对，超出 热平衡状态的多余载流子，称为非平衡载流子。 电子空穴对的产生  产生：  电子受热激发，从价带跃迁进入导带  高能光子入射 •激发价带电子跃迁到导带，产生电子- 空穴对  外界电子-空穴对的注入（后面介绍的PN 结） •造成额外的多余电子-空穴对 2 非平衡载流子的产生 例子：光照下半导体的本征光吸收 非平衡载流子浓度描述n  用n ＝n －n ，p ＝p －p 分别表示超出热平衡 0 0 的多余电子和空穴浓度，这些偏离平衡状态的 电子和空穴浓度，即非平衡载流子浓度  注意：浓度差有意义，但载流子本身并无区别  通常情况下，根据电中性要求，有n ＝p 准费米能级描述非平衡状态 E E - 热平衡条件下 n n exp( F Fi ) 0 i kT E E p n exp( Fi F ) 0 i kT - 有过剩载流子条件下，少子浓度变化大， 用准费米能级表征 E E n n n exp( Fn Fi ) 0 i kT E E p p n exp( Fi Fp ) 0 i kT 5 非平衡载流子：少子为重 非平衡载流子在数目上对多子和少子的影响显然是不 同的。多子的数量一般都很大，非平衡载流子不会对 它有显著影响。但对少子来说，数量的变化将非常明 显 因此，在讨论非平衡载流子时， 常常最关心的是非平衡的少数载流子 载流子的产生与复合 • 载流子速率方程，描述载流子浓度变化 – 产生项，载流子浓度增加 – 复合项，载流子浓度减小 • 热平衡状态