Pb(Cd1／2Te1／2)O3)及三元系压电陶瓷Pb(Cd1／2Te1／2)O3—PbZrO3….pdfVIP

维普资讯 第8卷第 1期 青岛大学学报 VOL 8NO．1 1g95年 3月 JOURNAL OFQINGD i口UN1；ERSITY Pb(Cdl／zTe1／2)03及三元系压 电陶瓷 tIof Pb(Cdl／zTe1／2)03--PbZrO3--PbTiO3 TOIT~ , Tt-／ (青岛大学物理系，青岛266071) 摘要 研制 j一种新的三元 系统压 电琦瓷材料P (CdmTem)O{一PbZO 一PsTjO ，拳系统 材料压电性强，时间稳定性掘佳 ，其时间稳定性 比改性 的 PCM 提高一个数量级 ，作者认 为稳定性的提高原 因，不是 由干材料的 “软化”，而在于 Te 离子在 电畴界面的偏聚对畴 壁的 “钉扎”作用，确定 1Ib(CdmTem)O 是顺 电相 其含量 以4～6mol 为宜，部分Cd 取代 z一，使本系统材料 “硬化 ， 关键词 堕 崂壁 日彳冈穆庭琏 引言 压 电陶瓷具有制备容易、机械强度高、化学性质稳定，且可制成任意形状和任意极化 方 向的产品的优点．所以．自二战期间 “ ，发现陶瓷的压 电性质 以来，发展极为迅速，至 1965年，日本制成三元系 Pb(Mg∽NB )O 一PZO 一PbT．O (PCM)压 电陶瓷 “，优越 的性能使它取代了单晶，在绝太多数压电应用中唱了主角． 但是 ，压 电陶瓷材料也有缺点，主要是稳定性较单晶为差，压 电陶瓷在使用过程中，各 项物理性能随锻化后所经历的时间而逐渐变化，如 PZT的机 电耦合系数老化率 lA J 10 ，PCM 的lAxl 5 ，并且，同一系统材料，压 电性越好 ，lAl越大，即优异的压 电性与 好的时间稳定性二者不能兼得、许多场合，为了满足稳定性方面的要求，不得不以牺牲性 能为代价 ，而这又使器件的效率大幅度下降，损耗激增 ，晟终导致器件失效，这限制了压 电 陶瓷在一些特殊器件 中的应用，几十年来，压电陶瓷的研究者们致力于寻找优 良的压电性 和稳定性集于一身的材料．以拓展其应用领域，本文研究的压 电陶瓷R (cⅢ T )O 一 PZO；一P O 便是这二者性能兼具的新材料． 收弼 日期：1994—09～15 维普资讯 58 青岛大学学报 第 7卷 1 实验 1．1 样品制备 表 1 xP (c 2T 2)O --yPbZOa--zPbT．O3配方 *样品中另有 5otolSr 采用化学纯的金属氧化物或碳酸 盐 为 原料 ，球 磨 至 5u．rn，ZO 和 TO lm，按 照化 学 式 x (CI，2 T 2)O ～yPbZOa—zPbT．O；配方 ，如 表 (1)所示，将各样品分别在玛恼罐中 湿混两小时，干燥后压块 ，在 550℃、 850C各保温 1小时预烧 以生成所需 之化台物．将这些化合物再次分别粉 碎至 5u．rn左右，7样品的粒度分布如 图 (1)所示 ，加入聚乙烯醇塑化剂 ， 80MPa的压力压制成 片状 (~520X3) 塑，将其装入氧化铝坩埚，加 zO。 图l7样品粒度分布 (盎) 和 捧状 (弼 ．5X13)的坯体 ，烘干后去 维普资讯