微电子导论复习参考.pdf

“微电子导论”需要掌握的 基本概念及内涵。 1.微电子学、及其课程体系的基本组成。 微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微 小型化电路系统的电子学分支。 微电子学的基本组成： 半导体物理学 （理论物理，固体物理） 半导体器件物理学 半导体材料 集成电路系统及设计 半导体微细加工 电路分析 模拟电子技术 集成电路原理 数字电子技术 信号与系统 2. 三代半导体的代表及其对应的晶体结构及应用 领域。 第一代Ge （锗zhě）、Si 基半导体器件； 每一个 Si 或 Ge 原子有四个近邻原子，构成四个共价键。 布拉伐格子为面心立方格子。 Si 的晶格常数为5.431A 应用领域： PN diode 、BJT 、FET 、photodiode 、IC…… 第二代GaAs 砷化镓 、InP 磷化铟半导体器件； GaAs 晶体结构-- 闪锌矿结构 Zinc Blende Structure 布拉伐格子为面心立方格子 GaAs 晶格常数5.65A 应用领域:PN diode、HBT 、HFET 、MMIC …… LED 、LD 、photodiode （红外波段） 第三代GaN 氮化镓半导体器件； 应用领域：LED 、LD 、photodiode （紫外到可见光波段） PN diode 、 HBT HFET MMIC 其他 有机半导体器件 应用领域：OLED OFET 晶体结构=布拉伐格子（空间晶格）+基元 3. 半导体器件的分类 (性质、材料、形式) 按性质分：  电子器件： PN rectifier diode 整流二极管， Bipolar Junction Transistor 双极面结型晶体管 （BJT ）， Field Effect Transistor 场效应晶体管 （FET ）， Integrated Circuits 集成电路 （ICs ）， Schottky barrier Diode 肖特基势垒二极管 （SBD）， Insulator Gate Bipolar Transistor 绝缘栅双极晶体管 （IGBT ） 光学器件： 电光转换器件：Light Emitting Diode 发光二极管 （LED ）， Laser Diode 激光二极管 （LD ） 光电转换器件： Solar Cell 太阳能电池， Photodiode 光电二极管 按材料分： 第一代Ge、Si 基半导体器件； 第二代GaAs、InP 半导体器件； 第三代GaN 半导体器件； 其他 有机半导体器件； 按形式分： 分立器件（discrete ） 集成器件（Integrated ） 4. 电子在自由空间、一维无限深势阱、原子及晶 体中的运动状态、薛定谔方程。 薛定谔结合普朗克的量子化原理以及德布罗意的波粒 二象性原理，提出一种称为波动力学的理论，其核心为薛定 谔波动方程：  自由空间的电子。   一维无限深势阱  单电子原子  晶体中的电子 \ 5. 导体、半导体、绝缘体 6. 化学键及其种类  离子键： 一族（碱金属）容易失去电子成为正离子，七族（卤族） 元素容易失去电子成为负离子。而各自达到满外壳层结构。正 负离子之间的库伦作用（吸引力和排斥力）形成离子键。  共价键： 原子间的相互作用倾向与形成满价壳层。  金属键： 离子心和共有价电子之间的相互作用形成金属键。过渡金