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2、Si、Ge和GaAs能带结构的基本特征（1）Si的能带结构 （2）Ge的能带结构 （1）禁带宽度Eg随温度增加而减小 —即Eg的负温度特性 (2) Eg: T=0: Eg (Si) = 0.7437eV Eg (Ge) = 1.170eV (3)GaAs的能带结构 （1）Eg负温度系数特性： dEg/dT = -3.95×10-4eV/K  (3)直接能隙结构 45 26 26 26 26 26 26 26 26 26 26 26 Electron States and energy band in Semiconductors §1.4半导体的导电机构 导电条件：有外加电压，有载流子 电子能否导电，不能只看单个电子的共有化运动，必须考虑电子填充能带的情况。满带中的电子不导电，虽包含电子但并未填满的能带才有一定的导电性，即不满的能带中的电子才可以导电 绝对温度为零时，纯净半导体的价带被价电子填满，导带是空的 ?不导电 Electron States and energy band in Semiconductors 在一定的温度下，价带顶部附近有少量电子被激发到导带底部附近，在外电场作用下，导带中电子便参与导电。 同时，价带缺少了一些电子后也呈不满的状态，因而价带电子也表现出具有导电的特性，它们的导电作用常用空穴导电来描写。 Electron States and energy band in Semiconductors 本征半导体：导带中出现多少电子，价带中就对应出 现多少空穴，导带上电子参与导电，价带上空穴也参与导电 载流子：晶体中荷载电流（或传导电流）的粒子。金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。 ?这一点是半导体同金属的最大差异，正是由于这两种载流子的作用，使半导体表现出许多奇异的特性，可用来制造形形色色的器件。 Electron States and energy band in Semiconductors 空穴的导电机理： ?价带电子导电通常用空穴导电来描述 设想价带中一个电子激发到价带，电子电流密度 J＝价带（k状态空出）电子总电流 设想以一个电子填充到空的k状态, k状态电子电流=(-q)v(k) 填入这个电子后价带又被填满,总电流应为零 J＋（-q）v（k）＝0 J＝（＋q）v（k） 说明：当价带k状态空出时，价带电子的总电流，如同一个正电荷的粒子以k状态电子速度v（k）运动时所产生的电流。 Electron States and energy band in Semiconductors 把价带中空着的状态看成是带正电的粒子，称为空穴。引进这样一个假象的粒子――空穴后，便可以很简便地描述价带 （未填满）的电流 右图为空穴运动的示图，即为电子填充空位的过程 Electron States and energy band in Semiconductors 通常将价带中空着的状态看成是带正电的粒子——空穴（假想粒子）。空穴不仅带有正电荷，而且还具有正的有效质量。 注：k状态空穴的速度等于该状态的电子速度v(k)，引入空穴的作用——把价带中大量电子对电流的贡献用少量的空穴表达出来（方便）。 Electron States and energy band in Semiconductors §1.5.1 k空间等能面 Electron States and energy band in Semiconductors 实际的三维情况下： k空间 对于一定能量E(k)，对应于许多组不同的(kx,ky,kz)，将这些不同的波矢连起来构成一个封闭面，在这个封闭面上能量值均相等——等能面，等能面为一球面，半径为： Electron States and energy band in Semiconductors 对于各向异性的晶体，E(k)与k的关系沿不同k方向不一定相同，不同k方向电子有效质量不同，能