铜在氧化锌中的掺杂行为及其对薄膜性能的影响.pdfVIP

摘 要 铜在氧化锌中的掺杂行为及其对薄膜性能的影响 作 者： 王 杰 专 业：凝聚态物理 指导教师：姚 斌 教授 随着光电子、信息、精密测量、航空等高科技领域对发光器件的需求持续增 长，使宽带隙新型半导体ZnO材料的研究成为世界各国的研究热点,尤其P型ZnO 材料。制备高晶体质量的p型ZnO的关键是抑制补偿缺陷的产生。按照Yan的理 论研究结果，IB 族元素在 ZnO 中的替代掺杂形成能很小，而且小于间隙掺杂的 形成能。因此，可以在准热力学平衡状态下进行IB族元素掺杂p型ZnO的生长， 这有利于 IB 族元素在 ZnO 中具有稳定的掺杂形态，和对生长条件的有效控制。 在掺杂的过程中，大部分的 IB 元素将以替代方式在 ZnO 中掺杂，避免了间隙原 子的补偿效应。所以本论文选择掺杂 IB族中的Cu元素，因为Cu廉价，并且Cu 在ZnO中有限固溶，它是变价元素，只要控制好价态就可以获得p型ZnO。 本论文利用溶胶-凝胶旋涂技术和真空、氩气、空气和氧气后热处理技术， 选择二水合乙酸锌(Zn(CH COO) ·2HO)作为前驱体，乙二醇甲醚(CH OCH CH OH) 3 2 2 3 2 2 作为溶剂，乙醇胺(HOCH CH NH )作为稳定剂，采用石英作为衬底，针对 Cu 掺杂 2 2 2 ZnO 薄膜的制备和 Cu 在 ZnO 薄膜中的掺杂行为及其对电学和光学性能的影响 规律进行了研究工作，取得如下结果： 1、制备出名义掺杂浓度Cu/Zn的摩尔比为0-10 mol% 的Cu掺杂ZnO薄膜， 发现当 Cu 的名义掺杂量为 3 mol%时，薄膜由纤锌矿结构的 Cu 掺杂 ZnO 组成， 当 Cu 的名义掺杂量大于等于 5 mol%时，薄膜由金属 Cu 和 ZnO:Cu 组成。 Cu 在 所制备的薄膜中以三种化学状态存在，金属 Cu，一价 Cu 和二价 Cu。金属 Cu 分 布在薄膜的表面或ZnO的晶界中；一价和二价Cu以替代ZnO中Zn的方式掺杂到 ZnO 中。随着 Cu 的名义掺杂量的增加，金属 Cu 和二价 Cu 的掺杂量增加，而一 价Cu的掺杂量略有减小。 2、Cu在ZnO的掺杂为有限固溶，掺杂浓度随退火温度的升高而减小，导致 o 随着温度的升高 Cu 从 ZnO:Cu 中析出。在 500-700 C 范围，析出的 Cu 以金属状 o 态存在于薄膜表面或ZnO晶界中，并且含量量随温度升高而增加。大于等于800 C 时，析出的Cu大部分升华，只有少量的金属Cu存在于薄膜表面或晶界中。当光 照射到薄膜时，存在于薄膜表面的金属 Cu 纳米粒子将发生表面等离子体共振吸 收，吸收峰位在2.0 eV左右。吸收峰的强度与金属Cu的含量成正比，吸收峰峰 位随金属Cu纳米颗粒尺寸的增大向高能方向移动。 3、Cu掺杂ZnO的导电类型随Cu掺杂量的增加逐渐从n型向p型转变，Cu+Zn 在ZnO中起受主作用，使ZnO导电类型从n向p转变。当 Cu 的名义掺杂量为 10 mol%时，Cu 掺杂 ZnO 呈现稳定 p 型导电。P 型的获得归因于 Cu+Zn 受主掺入和 VZn 的含量随Cu掺杂浓度的增加而增加。ZnO的带隙随Cu掺杂量的增加而减小，这 归因于Cu2+Zn 离子的掺杂量随Cu掺杂量的增加而增加。 4、光致发光研究表明，Cu在ZnO中掺杂将导致ZnO发光淬灭。 关键词： ZnO薄膜，Cu掺杂，宽禁带半导体，溶胶-凝胶法，表面等离子体共振