固体透氧膜som法由sio电解制备多晶硅.pdfVIP

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2017-10-18 发布于天津
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固体透氧膜som法由sio电解制备多晶硅

: ( ) 赖冠全等固体透氧膜 SOM 法由SiO２电解制备多晶硅０２１７７文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１６０２Ｇ０２１７７Ｇ０６ ( ) ∗ 固体透氧膜 SOM 法由SiO２电解制备多晶硅 , , , , , , 赖冠全邹星礼程红伟郑凯李尚书耿淑华鲁雄刚　 ( , ) 上海大学省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室上海２０００７２摘要: 对太阳能以及光伏行业的发展具有重要中添加质量分数为的聚乙烯醇缩丁醛( )后于　　 Si ５％ PVB , . , 战略意义因此被广泛地研究和应用利用固体透氧球磨机中湿磨１５h取出烘干后将质量为０．３g的膜(solidoxideox enionＧconductin membrane,简 SiO 粉末在２~６MPa下压制成直径为１０mm的圆 yg g ２ ) , . 称 SOM 法在 CaCl熔盐中对 SiO 直接电解制备多片然后在８００~１０００℃下烧结４h 将烧结后的阴２２ . , , 晶硅进行了深入研究结果表明不同压片压力及烧极片用泡沫镍包裹好后再用细钼丝缠绕于粗钼丝上 . . ( ) 结温度会对阴极片电解过程产生影响０．３ SiO 粉制作成阴极阳极由８％摩尔分数氧化钇稳定氧化 g ２ [ ] , ( ) 、、１６ . 末在２MPa下压制成型并于９００℃下烧结４h后在锆 YSZ管金属锡粒碳粉和铁铬铝丝组装而成 , １０００℃施加４．０V进行熔盐电解２h能得到纯多晶使用分析纯无水 CaCl作为熔盐电解质刚玉坩埚为２ , . , . 硅电流效率为８２．３％电解反应过程包含 SiO２ → 电解槽实验过程中采用高纯氩气作为保护气氛将 .