半导体器件与工艺总复习(5-7章).ppt

第5章 双极型晶体管及相关器件 双极型晶体管的工作原理； 双极型晶体管的电流增益和工作模式； 双极型晶体管的截止频率与开关时间； 1.晶体管的类型 p-n-p晶体管和n-p-n晶体管 共基极组态: 基极被输入和输出电路所共用。 2 电流增益 IE = IEP + IEn IC = ICP + ICn IB = IE – IC α0 =γαT IC=α0IE + ICB0 3.双极型晶体管的静态特性 五点假设： 晶体管各区域浓度为均匀掺杂； 基区中的空穴漂移电流和集基极反向饱和电流可以忽略； 载流子注入属于小注入； 耗尽区无产生-复合电流； 晶体管中无串联电阻。 4.基极区域 5.发射极和集电极区域 6.放大模式下理想晶体管的电流 7.工作模式 放大模式：射基结正，集基结反 饱和模式：两结都正向偏压。极小的电压就产生极大的输出电流，晶体管处于导通状态(开关短路)。 截止模式：两结都反向偏压。pn(0)=pn(W)=0，晶体管处于开路状态(关闭)。 反转模式：射基结反，集基结正。也称反放大模式，晶体管的集电极用作发射极，发射极用作集电极。 8.共基与共射组态下的电流-电压特性 输出电流-电压特性 输出电流-电压特性 共射电流增益: 9. 双极型晶体管的频率响应与开关特性 截止频率 共基截止频率：fα 共射截止频率：fβ 特征频率fT=(2πτT)-1 当 ，f=fT为特征频率： 第6章 MOSFET及相关器件 MOS二极管的阈值电压与反型条件 MOSFET的基本特性 MOSFET尺寸按比例缩小与短沟道效应的关系 低功率CMOS逻辑结构 MOS存储器结构 1. MOS二极管 在实际应用中，MOS二极管是先进集成电路中最重要的MOSFET器件的枢纽． 2. 理想MOS二极管的定义 在零偏压时，金属功函数q?m与半导体功函数q?s的能级差为零或功函数差q?ms为零，即在无外加偏压之下其能带是平的(称为平带状况)． 在任意的偏压之下，二极管中的电荷仅位于半导体之中，且与邻近氧化层的金属表面电荷量大小相等，但极性相反； 在直流偏压下，无载流子通过氧化层，亦即氧化层的电阻值为无穷大 。 理想MOS二极管偏压为正或负时，半导体表面可能会出现的三种状况． 对p型半导体：空穴积累，耗尽，反型，强反型； 半导体表面发生强反型的条件： 3. 理想MOS二极管 当Ψs等于Ψs(inv)时，可得到表面耗尽区的最大宽度Wm。 4. SiO2-Si MOS二极管 影响理想MOS的特性的几个因素。 5. MOSFET基本原理 基本的器件参数: 有沟道长度L(为两个n+-p冶金结之间的距离)、沟道宽度Z、氧化层厚度d、结深度rj以及衬底掺杂浓度NA. 定性描述MOSFET的工作原理。 推导MOSFET基本特性的条件。 栅极结构是理想MOS二极管(即无界面陷阱、固定氧化层电荷或功函数差)； 仅考虑漂移电流； 反型层中载流子的迁移率为常数； 沟道内杂质浓度为均匀分布； 反向漏电流可忽略； 沟道中由栅极电压所产生的垂直于ID电流方向的电场远大于由漏极电压所产生的平行于ID电流方向的电场． 缓变沟道近似法 在线性区 其中 为阈值电压. 在饱和区 可得饱和电流为： 在亚阈值区 定义：当栅极电压小于阈值电压（VG VT），且半导体表面只有弱反型时对应的漏极电流称为亚阈值电流。 定义： 亚阈值摆幅 6. MOSFET的种类 依据反型层的形式，MOSFET有四种基本的形式． (1) 增强型(或称常关型) n沟道MOSFET (2) 耗尽型(或称常开型) n沟道MOSFET (3) 增强型(或称常关型) p沟道MOSFET (4) 耗尽型(或称常开型) p沟道MOSFET 类型 剖面图 输出特性 转移特性 ) ( n 常闭 沟增强型 ) ( n 常开 沟耗尽型 ) ( p 常闭 沟增强型 ) ( p 常开 沟耗尽型 + G + n + n p + D D I 沟道 n G + n + n p + D D I + - - G + p + p n - D D I G + p + p n - D D I + - 沟道 p D I 0 D V 1 2 3 V 4 G = V D I 0 D V 2 - 0 V 1 G = V 1 - 0 D I D V - 1 - 2 - 3 - V 4 G - = V D I 0 D V - 1 2 0 V 1 G - = V + - 0 Tn V D I Tp V 0 G V D I + - + 0 Tn V D I G V - +