半导体集成电路第1章上.ppt

半导体集成电路 南京理工大学电光学院 第一章 集成电路器件与模型（上） PN结二极管模型 肖特基势垒二极管模型 MOS晶体管及模型 PN结二极管 半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。最常用的是硅和锗。 内建电场大小： 其中NA、ND分别为受主和施主的掺杂浓度，ni是半导体的本征激发浓度，一般来说远小于NA、ND。由式子可见，掺杂浓度越大，内建电场越大。在掺杂浓度一定时，半导体禁带宽度越宽，ni越小，内建电场越大。一般硅pn结在0.8V左右，锗在0.35V左右。 反向偏置与耗尽层宽度 肖特基二极管的结构 肖特基二极管的等效模型与伏安特性 MOS晶体管及模型 本节以n沟道MOS管为例。PMOS管的原理与此相似。 NMOS管的工作原理 MOS管的衬底接触 衬底总是连接到系统的最低电压上，以保证源、漏结都处于反偏。通常通过一个P+欧姆区来实现。 CMOS管 PMOS管所处的n阱与电源的正极相连接，以使PMOS管的源、漏结都处于反偏。 MOS管的几种电路符号 MOS晶体管的大信号模型 沟道长度调制效应 实际中，随着源漏之间电压差增大，反型沟道长度会减小。 一个简单的实例——源极跟随器 体效应 如果衬底电压低于源电压，更多的空穴被吸引至衬底电极，留下大量负电荷，使耗尽层变宽，阈值电压上升。称为“体效应”或“背栅效应”。 考虑了体效应的源极跟随器 MOS晶体管小信号模型 小信号模型是工作点附近大信号模型的近似。许多模拟电路中，MOS管偏置在饱和区。 完整的小信号模型 MOS晶体管的亚阈值特性 在上面的分析中，一直认为栅源电压在低于阈电压时突然关断，而实际上，电流随栅源电压的减小指数衰减。亚阈值导通会导致较大的功率损耗，在大型电路中是一个重要问题。 短沟道效应 速度饱和 阈值电压降低，亚阈值电流大量增加 热载流子效应，影响器件寿命。 SPICE模型 SPICE是一种对集成电路进行模拟仿真计算的程序。它所用的模型即称为SPICE模型。 MOS管的SPICE模型一般有三种 LEVEL 1模型 Level 1是平方律模型，它是MOS晶体管的一级模型，适用于精度要求不高，沟道长度较长的MOS晶体管。 考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应 LEVEL 2模型 是基于几何图形分析的模型，是MOS管的二级模型。当沟道长度小于4~5微米时，LEVEL1模型不再适用。 考虑了各种二级效应，比如沟道长度对开启电压VTH的影响、漏栅静电反馈效应对VTH的影响、沟道宽度对VTH的影响；表面电场对载流子迁移率的影响等等。 适用于短而宽的器件（L~0.7微米）而不适用于长而窄的器件。 LEVEL 3模型 是一个半经验化模型，适用于长、宽不大于2微米的小尺寸器件。此模型公式既能比较精确的描述MOS器件中各种二级效应，又能节省计算时间。但其表达式是采用半经验公式。 计算公式中考虑了： 1.漏源电源引起的表面势垒降低而使阈值电 压下降的静电反馈效应. 2.短沟道效应和窄沟道效应对阈值电压的影响. 3.载流子极限漂移速度引起的沟道电流饱和效应 4.表面电场对载流子迁移率的影响. 取VDS=VGS-VTH, 则输入输出电压差恒定。 MOS晶体管及模型 MOS晶体管基本工作原理 MOS晶体管大信号模拟 长度调制效应和体效应 MOS晶体管小信号模型 MOS晶体管短沟道效应 MOS晶体管的寄生效应 MOS晶体管的SPICE模型 场区寄生MOS管（场开启MOS管） 1.加厚场氧化层厚度 （采用等平面工艺，减小表面台阶） 2.采用场区注入，提高衬底表面浓度 3.控制有源区间距 寄生双极晶体管 消除寄生双极晶体管影响的措施： P衬底接最低电位 N衬底接最高电位 使MOS管源漏区与衬底形成的二极管不处于正偏状态 N-sub p p p p P-sub n n n n 寄生可控硅—闩锁效应 VH IH I V 0 VDD GND Vo Vi P-Sub N-阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW RS RS RW IRS IRW VDD GND VO N- P- VO 必要条件： 1.两个发射结均正偏 2.βnpn*βpnp 1 3.IPowerIH 寄生可控硅一旦被触发，电流巨增，将烧毁芯片。 MOS晶体管及模型 MOS晶体管基本工作原理 MOS晶体管大信号模拟 长度调制效应和体效应 MOS晶体管小信号模型 MOS晶体管短沟道效应 MOS晶体管的寄生效应 MOS晶体管的SPICE模型 * * 导体： 例如 Au、Ag、Cu、Al 等； ~ 电子能够自由运动 ——有自由电子，电阻率：10-6~10-4Ω.cm 绝缘体： 例如 水晶、金刚石、SiO2、Si3N4 等； ~ 电子不能自由运动 ——没有自由电子 电阻率：101