半导体线缺陷——位错.pptx

晶体缺陷——位错;;1926 年Frenkel 首先指出，在任一温度下，实际晶体的原子排列都不会是完整的点阵，即晶体中一些区域的原子的正规排列遭到破坏而失去正常的相邻关系 晶体缺陷是指晶体点阵结构中周期性势场的畸变 晶体缺陷是指晶体中偏离理想完整点阵的部位或结构;晶体缺陷的分类;点缺陷又称零维缺陷是指缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺 陷的尺寸都很小。 主要有空位、间隙原子、杂质缺陷和点缺陷复合缺陷。 ;弗仑克尔缺陷：一定温度下，格点原子在平衡位置附近振动，其中某些原子能够获得较大的热运动能量，克服周围原子化学键束缚而挤入晶体原子间的空隙位置，形成间隙原子，原先所处的位置相应成为空位。这种间隙原子和空位成对出现的缺陷称为弗仑克尔缺陷。 肖特基缺陷：由于原子挤入间隙位置需要较大的能量，所以常常是???面附近的原子A和B依靠热运动能量运动到外面新的一层格点位置上，而A和B处的空位由晶体内部原子逐次填充，从而在晶体内部形成空位，而表面则产生新原子层，结果是晶体内部产生空位但没有间隙原子，这种缺陷称为肖特基缺陷。 ;(a) 弗仑克尔缺陷 (b) 肖特基缺陷 ; 线缺陷又称一维缺陷指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。 半导体晶体中的线缺陷主要是位错。晶体生长过程中由于热应力或其他外力作用，使晶体中某一部分沿滑移面发生滑移，已滑移区与未滑移区的分界线叫位错线，简称为位错。以位错线与其柏格斯矢量的相对取向来区分位错的类型，两者相互垂直叫刃型位错，两者平行的叫螺型位错，否则叫混合位错。;（a）刃位错; 面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。如晶界、相界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。; 体缺陷也称为三维缺陷是指宏观上与基质晶体具有不同结构、不同密度或不同化学成分的区域，包括空洞和微沉淀。 空 洞?? 晶体中所包含的较大的空隙区。 微沉淀?? 晶体中出现的分离相，它是由于某些杂质超过溶解度限所 形成的 ; 位错是晶体中某处一列或若干列原子发生了有规律错排现象；错排区是细长的管状畸变区,长度可达几百至几万个原子间距,宽仅几个原子间距。如右图是位错的一种。 特点:在一维方向的尺寸较长，另外二维方向上尺寸很小，从宏观看缺陷是线状的。从微观角度看，位错是管状的。 ;位错的基本类型及特征;刃型位错的产生 完整晶体滑移的理论剪切强度要远高于实际晶体滑移的对应强度，从而促进了位错理论的产生和发展。具体可以描述为：晶体在切应力的作用下，一部分相对于另一部分沿一定的晶面（滑移面）和晶向（滑移方向）产生位移，从而形成多余半原子面，也就形成了刃型位错。在切应力的继续作用下，刃位错向前运动，位错经过的区域晶体发生了滑移。因此，也可以说位错是晶体已滑移区与未滑移区的分界线 ;刃型位错的结构;刃型位错的特征; ③ 滑移面必须是同时包含有位错线和滑移矢量的平面。位错线与滑移矢量互相垂直,它们构成平面只有一个。 ④ 晶体中存在刃位错后,位错周围的点阵发生弹性畸变,既有正应变,也有负应变。点阵畸变相对于多余半原子面是左右对称的，其程度随距位错线距离增大而减小。就正刃型位错而言,上方受压,下方受拉。 ⑤ 在位错线周围的畸变区每个原子具有较大的平均能量。畸变区是一个狭长的管道。; 晶体中已滑移区与未滑移区的边界线（即位错线）若平行于滑移方向，则在该处附近原子平面已扭曲为螺旋面，即位错线附近的原子是按螺旋形式排列的，这种晶体缺陷称为螺型位错;螺型位错的结构;;螺型位错的特点; ③螺旋位错线与其滑移矢量平行，故纯螺位错只能是直线。且与位错线移动方向与晶体滑移方向垂直； ④纯螺位错的滑移面不是唯一的，凡包含螺型位错线的平面都可以作为它的滑移面；但实际上，滑移通常是在那些原子密排面上进行。 ⑤螺旋位错线位错周围点阵也发生弹性畸变，即不引起体积的膨胀和收缩；且在垂直于位错线的平面投影上，看不到原子的位移，看不出缺陷。螺位错周围只引起切应变而无体应变。错位线周围的应力场呈轴对称分布 ⑥位错畸变区也是几个原子间距宽度，同样是线缺陷。;刃位错与螺位错结构特征对比;晶体中已滑移区与未滑移区的边界线（位错线）既不平行也不垂