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半半导体平导体平导体平导体平面工艺面工艺 光光 刻刻 什么是光刻什么是光刻什么是光刻什么是光刻 光刻是一项图形转换和化学腐蚀相结合光刻是一项图形转换和化学腐蚀相结合 的综合性技术。对于本实验来讲，是以 光刻胶为掩膜光刻胶为掩膜，进行初步的图形转换进行初步的图形转换， 使用氢氟酸或浓磷酸为腐蚀剂进行腐蚀， 完成图形转换。 光刻的基本流程光刻的基本流程光刻的基本流程光刻的基本流程 清洗清洗 匀胶 前烘 曝光曝光 显影 后烘 腐蚀腐蚀 去胶 如何清洗硅片如何清洗硅片如何清洗硅片如何清洗硅片 方法方法：湿法清洗湿法清洗＋＋去离子水冲洗去离子水冲洗＋＋脱水脱水 烘焙（热板150～250℃，1～2分钟，氮 气保护气保护）） 目的目的：a、除去表面的污染物除去表面的污染物 （（颗粒颗粒、 有机物、工艺残余、可动离子）； bb、除去水蒸气除去水蒸气，是基底表面由是基底表面由 亲水性变为憎水性，增强表面对光刻胶 的黏黏附性。 如何匀胶如何匀胶如何匀胶如何匀胶 旋转涂胶旋转涂胶 方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静 止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶 剂剂 （（原光刻胶的溶剂约占原光刻胶的溶剂约占65～85%,,旋涂旋涂 后约占10～20%）； bb、动态动态 （（DDynamiic））。低速旋低速旋 转（500rpm_rotation per minute）、滴 胶胶、加速旋转加速旋转 （3000rpm）、甩胶胶、挥挥 发溶剂溶剂。 如何前烘如何前烘如何前烘如何前烘 也叫也叫软烘软烘 （（Soft BakingSoft Baking）） 方法：使用恒温电阻干燥箱，烘干温度 为80℃，时间为15min。 目的目的：：除去溶剂除去溶剂 （（44 ～7%7%）；）；增强黏附增强黏附 性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻 胶玷污设备胶玷污设备； 如何曝光如何曝光如何曝光如何曝光 采用紫外光为有效光源曝光采用紫外光为有效光源曝光 曝光时间为25秒 新光源：X射线、 电子束、离子束 *投影式曝光，精确度更高 可以达到0.25微米一下 如何显影如何显影如何显影如何显影 使用负胶显影液浸泡硅片使用负胶显影液浸泡硅片30s~60s30s~60s 使用负胶清洗液浸泡硅片30s~60s 目的：a、使用显影液主要是溶解没有 被光照到的光刻胶被光照到的光刻胶；； b、使用清洗液主要是溶解和清 洗显影过的光刻胶洗显影过的光刻胶； 如何后烘如何后烘如何后烘如何后烘 在恒温干燥箱中烘干在恒温干燥箱中烘干，温度为温度为180180℃℃， 时间为30min。 目的：a、完全蒸发掉光刻胶里面的溶 剂剂；； b、坚膜，以提高光刻胶在离子 注入或刻蚀中保护下表面的能力注入或刻蚀中保护下表面的能力； c、进一步增强光刻胶与硅片表 面之 间的黏附性 如何腐蚀如何腐蚀如何腐蚀如何腐蚀 用腐蚀液刻蚀掉裸露出的二氧化硅用腐蚀液刻蚀掉裸露出的二氧化硅，用用 浓磷酸刻蚀裸露出的金属铝。 方法：a、水浴加热 bb、、选用相应的腐蚀剂选用相应的腐蚀剂 c、控制腐蚀时间 如何去胶如何去胶如何去胶如何去胶 使用浓硫酸加热的方式使光刻胶碳化使用浓硫酸加热的方式使光刻