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太阳电池的原理、工艺与应用(Principle，Technology and Applications of Solar Cell) 沈 辉 Prof. Dr.-Ing. Hui Shen shenhui1956@163.com 目录 太阳电池发展历史与前景展望 太阳能资源与太阳光谱分析 太阳电池的物理基础 太阳电池的工作原理 硅材料的制备工艺 太阳电池的制备过程 太阳电池的电流-电压特性 太阳电池组件的制作与测试 光伏系统的组成及设计基础 光伏系统的应用  太阳电池的物理基础 半导体物理基础 －晶体结构 －能带理论 半导体材料的基本特性 - 半导体的特性 - 半导体的能带 - 半导体的导电机构 p-n结的形成与特性 构成及原理 势垒类型 制备工艺 半导体的光伏效应 半导体的物理基础 半导体基本知识 晶体结构 能带理论 半导体的物理基础 什么是半导体？ 自然界的物质按导电性的强弱，可分为导体、半导体和绝缘体 三类。它们的电阻率变化范围为： 导体﹤10-4 ?㎝；绝缘体﹥109 ?㎝；半导体10-4～109 ?㎝ 半导体的特性 1。掺杂特性：掺入微量杂质可引起载流子浓度变化，从而明显改 变半导体的导电能力。此外，在同一种材料中掺入不同类型的杂 质，可得到不同导型的材料（p或n型）； 2。温度特性：与金属不同，本征（纯净）半导体具有负的温度系数，即随着温度升高，电阻率下降。但掺杂半导体的温度系数可正可负，要具体分析。 3。环境特性：光照、电场、磁场、压力和环境气氛等也同样可引起半导体导电能力变化。如硫化镉薄膜，其暗电阻为数十兆欧姆，而受光照时的电阻可下降到数十千欧姆（光电导效应） 半导体的物理基础 周期表中与半导体相关的部分 周期 II III IV V VI 2 B C N 3 Al Si P S 4 Zn Ga Ge As Se 5 Cd In Sn Sb Te 6 Hg Pb 晶体结构 半导体材料的原子排列状态： 晶体结构和非晶体结构 半导体发展历史 半导体材料分类 - 化学组成 - 结晶状态 - 材料功能 晶体结构 晶体结构 晶体结构 晶体结构 晶体结构 晶体结构 晶体结构 半导体发展历史 早在1782年，A. Volta?通过实验区分了导电性能介于金属和绝缘体之间的“半导体”，并在提交给伦敦皇家学会的一篇论文中首先使用“半导体”一词。 1833年，M. Faraday发现硫化银(Ag2S)的电阻率的温度系数为负数，这是对半导体特性的最早发现。 1853年，A. Fick提出扩散方程，为以后的半导体材料掺杂提供了理论基础。 1873年，W．R. Smith发现硒(Se)的光导电现象。1874年，F. Braun发现金属和金属硫化物接触的电阻值与外加电压的大小及方向有关，即半导体的整流功能。 1883年Se整流器和1906年碳化硅（SiC）检波器的出现，开始了半导体器件的最早应用。 半导体发展历史 1931年剑桥大学理论物理学家A.Wilson发表半导体能带的经典论文，首次区分了杂质半导体和本征半导体，并指出存在施主与受主，从此开创了半导体理论。 1907年，H. J. Round发现电致发光（即发光二极管LED：Light Emitting Diode），即在碳化硅（SiC）晶体两端加10V电压，观察到有淡黄色光出射。同年，意大利的Marconi公司也发现碳化硅（SiC）在可见光范围的电致发光现象，这家公司后来成为生产半导体产品的世界著名公司。 1918年波兰科学家J.Czochralski发明了由液态生长固体单晶的提拉生长法，此法至今仍在半导体材料工业得到广泛应用。1925年可用于一些化合物半导体的晶体生长的Bridgman法发明。1926年氧化亚铜整流器制作成功。 半导体发展历史 1947年晶体管的出现是个里程碑式的重大发明，这是由美国Bell实验室W.Shockley，W.H.Brattain 和 J.Bardeen共同完成的. 其中主要工作是：1947年12月Bardeen和Brat