集成电路工艺chap3-4.ppt

* 生产出最纯的多晶硅，生产的直径比直拉法小。 * wafer size指的是wafer的直径,从3英寸,4英寸,5英寸,6英寸发展到目前主流的8英寸,12英寸.18英寸也有intel等公司牵头研发中,预计2012年出现.英特尔三星台积电宣布2012年试产下一代晶圆晶圆尺寸的更新换代一般都需要十年左右，比如200mm晶圆是1991年诞生的，现在广泛使用的300mm晶圆则是Intel在2001年引入的，并首先用于130nm工艺处理器。事实上，至今有些半导体企业仍未完成从200mm向300mm的过渡，而Intel此番准备升级450mm必然会让半导体产业的芯片制造经济得到进一步发展。 半导体12寸硅晶圆每片价格也跌至120美元，今年第一季因晶圆厂平均利用率仅30％至40％，硅晶圆每片价格又大跌至100美元。第二季半导体厂接单转强，价格小跌至90美元，如今第三季因晶圆厂利用率上看9成，硅晶圆报价也持平在90美元。 * * 晶体滑移：它沿着一个或更多的平面发生滑移 晶体孪生平面：就是在一个平面上，晶体沿着两个不同的方向生长。由于生长过程中的热影响或机械震动而产生的 * * Wafer Lapping and Edge Grind * * (100)晶面表面态密度较低些，目前的CMOS工艺一般用此类型的衬底。111晶向的貌似过去常用来做Bipolar；另外由于（110）晶面上空穴的迁移率较高，所以高端CMOS电路也会用（110）晶面衬底来提高PMOS的速度。 （111）载流子迁移率较高，也易生长，100表面态最少，多用于MOS器件 * * Internal diameter wafer saw 内圆切割机Internal Diameter Saw 2.7 硅片制备－切片 300mm的硅片采用线锯来切片。 * 抛光的硅片边缘Polished Wafer Edge 2.7 硅片制备－磨片和倒角 硅片双面的机械磨片，平整度要求； 硅片边缘抛光修整（倒角）。 * 去除硅片表面损伤的化学刻蚀Chemical Etch of Wafer Surface to Remove Damage 2.7 硅片制备－刻蚀 硅片整型使表面和边缘损伤及沾污，通常几微米深； 硅片刻蚀或者化学刻蚀，腐蚀约20微米的硅。 刻蚀章节详细介绍 * 双面抛光Double-Sided Wafer Polish（DSP） 上抛光垫 Upper polishing pad 下抛光垫 Lower polishing pad Wafer 磨料 Slurry 2.7 硅片制备－抛光 化学机械平坦化（CMP）；200mm及其以前硅片，上表面抛光；300mm硅片，双面抛光。CMP章节详细介绍 * 2.8 质量测量 * * 7个标准 物理尺寸－Physical dimensions 平整度－Flatness 微粗糙度－Microroughness 氧含量－Oxygen content （缺陷，漏电流增加） 晶体缺陷－Crystal defects 颗粒－　Particles 体电阻率－Bulk resistivity（希望均匀） 2.8 质量测量 * 改进的硅片要求Improving Silicon Wafer Requirements 2.8 质量测量－硅片要求 * 硅片表面的平整度Flatness of Wafer Front Surface Silicon wafer surface 2.8 质量测量－硅片平整度 正偏差 Positive deviation 负偏差 Negative deviation 真空吸盘　Vacuum chuck Wafer Reference plane 硅片的形变Wafer Deformation * 2.9 外延层 * 单晶硅层 Monocrystalline layers Epitaxial layer Silicon wafer 外延层(Epitaxial Layers)结构 2.9 外延层 硅外延，是硅基片作为籽晶在硅片上面生长一薄层硅； 外延层的晶体结构与硅片一致； 外延层的杂质类型、浓度与厚度可以重新调整。 * ? 中国电子科技集团公司第四十六研究所 ? 洛阳单晶硅有限责任公司 ? 宁波立立电子股份有限公司 ? 无锡华润华晶微电子有限公司 ? 洛阳中硅高科技有限公司 ? 峨嵋半导体材料厂 ? 浙江硅峰电子有限公司 ? 上海合晶硅材料有限公司 ? 成都青洋电子材料有限公司 ? 天津市环欧半导体材料技术有限公司 ? 天津市半导体技术研究所 ? 徐州半导体材料有限公司 ? 有研半导体材料股份有限公司 ? 上海通用硅材料有限公司 ? 陕西华山半导体材料厂 ? 河北普兴电子材料有限公司 ?