多循环快速热退火诱导普通玻璃衬底非晶硅薄膜晶化-上海大学学报.pdfVIP

第１８卷 第３期 （自然 科 学 版） Ｖｏｌ．１８Ｎｏ．３ ２０１２年６月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＨＡＮＧＨＡＩＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮＡＴＵＲＡＬＳＣＩＥＮＣＥ） Ｊｕｎ．２０１２ 　　ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００７２８６１．２０１２．０３．０２１　 多循环快速热退火诱导普通玻璃衬底非晶硅薄膜晶化 於凡枫，　金　晶，　史伟民，　瞿晓雷，　许月阳 （上海大学 材料科学与工程学院，上海２０００７２） 摘要：介绍一种使用快速热退火设备，经多次循环退火诱导，在普通玻璃衬底上生长非晶硅薄膜晶化的实验方法． 利用拉曼 （Ｒａｍａｎ）光谱、原子力显微镜 （ａｔｏｍｉｃｆｏｒｃｅｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＡＦＭ）、紫外可见分光光度计 （ＵＶＶＩＳ ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）和霍尔（Ｈａｌｌ）测试系统对薄膜的结构、形貌及电子迁移率进行测试．结果表明，当退火温度达到 －１ ６８０℃时，薄膜开始出现晶化现象；随着快速热退火次数的增加，拉曼光谱在５００ｃｍ 处测得多晶硅特征峰；在循环 退火５次后，其最佳晶化率达到７１．９％，光学带隙下降，晶粒增大，载流子迁移率提高． 关键词：多循环快速热退火；非晶硅；晶化 中图分类号：Ｏ４８４　　　　　文献标志码：Ａ　　　　　文章编号：１００７２８６１（２０１２）０３０３２７０４　 ＣｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＡｍｏｒｐｈｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎＦｉｌｍｓｏｎＧｌａｓｓＳｕｂｓｔｒａｔｅｂｙ ＭｕｌｔｉｃｙｃｌｅＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌｉｎｇ ＹＵＦａｎｆｅｎｇ，　ＪＩＮＪｉｎｇ，　ＳＨＩＷｅｉｍｉｎ，　ＱＵＸｉａｏｌｅｉ，　ＸＵＹｕｅｙａｎｇ （ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００７２，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｉｎｔｒｏｄｕｃｅｓａｍｅｔｈｏｄｏｆｍｕｌｔｉｃｙｃｌｅｒａｐｉｄｔｈｅｒｍａｌａｎｎｅａｌｉｎｇｔｈａｔｉｎｄｕｃｅｓ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎｏｆａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｆｉｌｍｓｄｅｐｏｓｉｔｅｄｏｎｔｈｅｎｏｒｍａｌｇｌａｓｓ．Ｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｓｕｒｆａｃｅｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ ａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｎｍｏｂｉｌｉｔｙｏｆｔｈｅｓｉｌｉｃｏｎｆｉｌｍｓｗｅｒｅｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｗｉｔｈＲａｍａｎｓｐｅｃｔｒａ，ａｔｏｍｉｃｆｏｒｃｅｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ （ＡＦＭ），ＵＶＶＩＳｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒａｎｄＨａｌｌｅｆｆｅｃｔｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗ ｔｈａｔｔｈｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎａｐｐｅａｒｓｆｏｒｆｉｌｍｓａｎｎｅａｌｅｄａｔ６８０℃．Ａｓｒａｐｉｄｔｈｅｒｍａｌａｎｎｅａｌｉｎｇｃｙｃｌｅｓａｒｅｉｎｃｒｅａｓｅｄ，ｔｈｅ Ｒａｍａｎｓｐｅｃｔｒａｉｎｄｉｃａｔｅｔｈａｔｔｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｐｅａｋｏｆｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎ（ｐｏｌｙＳｉ）ｆｉｌｍａｐｐｅａｒｓａｔ －１ ５００ｃｍ ．ＴｈｅｍａｘｉｍａｌｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｆｒａｃｔｉｏｎｏｆｐｏｌｙＳｉｆｉｌｍｉｓ７１．９％ ａｆｔｅｒ５ｃｙｃｌｅｓａｎｎｅａｌｉｎｇｔｒｅａｔｍｅｎｔ． Ｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｂａｎｄｇａｐｄｅｃｒｅａｓｅｓｗｉｔｈｔｈｅｇｒａｉｎｇｒｏｗｉｎｇ，ａｎｄｔｈｅｃａｒｒｉｅｒｍｏｂｉｌｉｔｙｉｎｃｒｅａｓｅｓ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｍｕｌｔｉｃｙｃｌｅｒａｐｉｄｔｈｅｒｍａｌａｎｎｅａｌｉｎｇ；ａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ；ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ 　　目前，以玻璃为衬底的多晶硅薄膜已经广泛应 们