氧化锌基纳米材料的制备及光电化学性质的研究.pdfVIP

摘 要 作 者：闫伟平 指导教师：林艳红 副教授 专业名称：应用化学 近年来，纳米半导体材料因其独特的性质被应用于光催化、太阳能电池以 及气体传感器等领域。在众多纳米材料中，氧化锌(ZnO)作为逐渐兴起的一种新 型半导体材料，其具有禁带宽、激子束缚能高、无毒、成本低、抗辐射能力强 和机电耦合性能好等特点，被广泛用作催化剂、医药、气敏传感器、光波导器 件和透明导电电极等。然而，由于ZnO 带隙能为3.37 eV，作为宽带隙能半导 体，也存在其自身缺点。例如在以粉末为催化剂时，催化剂在使用后不易分离 回收。另外光生电子和空穴的快速复合和较低的光子利用效率，限制了其在实 际中的应用。为此，科学家们开展了大量的研究工作。一方面对材料结构进行 改性处理，例如通过对半导体材料沉积其它金属氧化物、贵金属，或者掺杂无 机离子，进行光敏化及表面还原处理等方法，以引入杂质或者缺陷，从而改善 ZnO 的光吸收，进而提高量子产率和光催化效率。另一方面，将催化剂固定在 导电基底上，通过外加恒电位或恒电流的方法，迫使光生电子向对电极移动， 使光生电子和空穴发生分离。通过这种方法，不仅解决了催化剂的回收问题， 还有望解决光生电子-空穴对再复合几率较大的问题。通过不同方法制备的导电 性薄膜材料更适用在光电催化反应中，可以作为催化反应中的工作电极，便于 施加恒定电流和恒定电位，以提高催化剂对污染物的催化降解效率。 在本论文中，我们制备了ZnO 纳米阵列薄膜，通过场诱导表面光电压技术 和电化学测试方法，研究了单纯的ZnO 纳米棒阵列薄膜的光电催化活性区别于 光催化反应的性质。然后，在ZnO 纳米棒阵列的基础上，通过敏化剂的敏化作 用，形成了In O /ZnO 复合薄膜电极，比较了复合薄膜电极与单纯的ZnO 纳米 2 3 棒阵列薄膜电极的光电催化活性，探讨了复合薄膜电极相对于单纯薄膜电极光 电性质的变化情况。最后，通过沉积贵金属Ag 的方法，使ZnO 纳米棒阵列体 系中的电子分布发生改变，影响了ZnO 的表面性质，进而改善其光催化活性； I 通过催化剂的光电催化降解有机污染物效率与光催化效率的比较，为光电催化 反应在实际中的应用提供理论依据。 本论文主要研究的内容包括以下三个方面： 采用水热合成方法在Zn 片上制备了ZnO 纳米棒阵列，采用电化学工作站 等测量手段研究了ZnO 纳米棒阵列的光电化学性质，并以ZnO 纳米棒阵列薄 膜为工作电极，通过改变催化反应的条件，探讨具有最高催化活性的辅助条件。 结果表明，在紫外光下，采用电化学工作站在工作电极上施加不同电位的电压， 对有机染料甲基橙的催化降解效率不同。在相同条件下，对甲基橙的光电催化 效率比单纯的采用光催化或者电催化降解效率要高，即光与电的协同作用明显 提高了催化降解效率，这为光电催化的应用提供前期理论基础。 设计制备了以FTO 为基底的ZnO 纳米棒阵列薄膜，利用In O 纳米粒子作 2 3 为敏化剂，形成In O 纳米粒子敏化的ZnO 纳米棒阵列复合薄膜。利用电化学 2 3 工作站、场诱导表面光电压技术研究了复合薄膜的光电性质，寻找敏化剂用量 的最优值，并将其作为工作电极，测试了在不同实验条件下催化降解有机染料 罗丹明B(RhB)的降解活性，讨论了敏化作用对复合薄膜的光生电荷行为和对光 电活性的影响。得出以下结论：与单纯的ZnO 纳米棒阵列薄膜相比，经In O 2 3 纳米粒子敏化后的ZnO 纳米棒阵列薄膜具有较高的催化活性，通过场诱导表面 光电压谱和电流密度对时间曲线对光电极光生电荷行为的分析，说明 In O