MspFlash型单片机内部Flash存储器介绍.docVIP

1 Msp430Flash型单片机内部Flash存储器介绍 MSP430的Flash存储器是可位、字节、字寻址和编程的存储器。该模块由一个集成控制器来控制编程和擦除的操作。控制器包括三个寄存器，一个时序发生器及一个提供编程、擦除电压的电压发生器。 Msp430的Flash存储器的特点有： 1） 产生内部编程电压 2） 可位、字节、字编程，可以单个操作，也可以连续多个操作 3） 超低功耗操作 4） 支持段擦除和多段模块擦除 2 Flash存储器的分割 Msp430 Flash存储器分成多个段。可对其进行单个字节、字的写入，也可以进行连续多个字、字节的写入操作，但是最小的擦除单位是段。 Flash 存储器被分割成两部分：主存储器和信息存储器，两者在操作上没有什么区别。两部分的区别在于段的大小和物理地址的不同。 以Msp430F149为例，信息存储器有两个128字节的段，即segmentA和segmentB，主存储器有多个512字节的段。Msp430F149内部Flash的地址为0x1000H~0xFFFFH，计60K。信息段SegA的起始地址为0x1080H，信息段SegB的起始地址为0x1000H。 3 Flash存储器的操作 在默认状态下，处于读操作模式。在读操作模式中，Flash存储器不能被擦除和写入，时序发生器和电压发生被关闭，存储器操作指向ROM区。 Msp430 Flash存储器在系统编程ISP（in-system programmable）不需要额外的外部电压。CPU能够对Flash直接编程。Flash存储器的写入/擦除通过BLKWRT、WRT、MERAS、ERASE等位确定。 3.1 擦除 Flash存储器各位的缺省值为1，每一位都可以单独编程为0，但只有擦除操作才能将其恢复为1。擦除操作的最小单位是段。通过erase和meras位设置可选择3种擦除模式。  MERAS ERASE 擦除模式 0 1 段擦除 1 0 多段擦除（所有主存储器的段） 1 1 整体擦除（LOCKA=0时，擦除所有主存储器和信息存储器的段；主存储器的段只有当LOCKA=0时可以擦除） 擦除操作开始于对擦除的地址范围内的任意位置执行一次空写入。空写入的目的是启动时序发生器和擦除操作。在空写入操作之后，BUSY位自动置位，并保持到擦除周期结束。BUSY、MERAS、ERASE在擦除周期结束后自动复位。 3.2 写入 写入模式由WRT和BLKWRT位进行设置。  BLKWRT（块写入模式选择） WRT（写模式选择位） 写入模式 0 1 单字节、单字写入 1 1 块写入 所有的写入模式使用一系列特有的写入命令，采用块写入的速度大约是单个写入的2 倍，因为电压发生器在块写入完成器件均能保持。对于这两种写入模式，任何能修改目的操作数的指令均能用于修改地址。一个Flash字不能再擦除器件进行两次以上的写入。 当启动写入操作时，BUSY置位，写入结束时复位。 4 操作编程 4.1 Flash擦除 对Flash要写入数据，必须先擦除相应的段，且对Flash存储器的擦除必须是整段进行的，可以一段一段擦，也可以多段一起擦除。擦除操作的顺序如下： 1） 选择适当的时钟源和分频因子； 2） 清除LOCK位 3） 判断BUSY位，只有当BUSY=0时才可以执行下一步 4） 使能段操作，设置ERASE、MERAS位等（如果是擦除一段，则ERASE=1，如果擦除多段，则MERAS=1，如果擦除整个Flash，则ERASE=1，MERAS=1） 5） 对擦除的地址范围内的任意位置作一次空写入，以启动擦除操作 6） 在擦除周期内，时钟源始终有效，不修改分频因子 7） 操作完成后，置位LOCK 根据上述操作顺序，编写程序代码如下： void FlashErase(unsigned int adr) { uchar *p0; FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//选择时钟源，分频 FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK while(FCTL3 BUSY);//如果出于忙，则等待 FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作 p0 = (unsigned char *)adr;//数值强制转换成指针 *p0 = 0; //向段内任意地址写0，即空写入，启动擦除操作 FCTL1 = FWKEY; FCTL3 = FWKEY + LOCK; while(FCTL3 BUSY); } 4.2 写入 对Flash的写入数据可以是单字、