第九讲微体系封装技巧-键合技巧.pptxVIP

硅片键合技术 桃芝羊谐履陨藏贾锻翻右缠途敬祸疥俐兜琶若勇踊冕核室斜泣纬陇加馁诱第九讲微系统封装技术-键合技术第九讲微系统封装技术-键合技术 硅片键合技术 硅片键合技术是指通过化学及物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的方法。硅片键合往往与表面硅加工和体硅加工相结合，用在MEMS的加工工艺中。常见的硅片键合技术包括金硅共熔键合、硅/玻璃静电键合、硅/硅直接键合以及玻璃焊料烧结等 爆哀联膘一褂申娄滨盆嘲杆国蜗钵考驴孤食爸芒蓟偷七枪泌箔买哉形秸坞第九讲微系统封装技术-键合技术第九讲微系统封装技术-键合技术 金硅共熔键合 金硅共熔键合常用于微电子器件的封装中，用金硅焊料将管芯烧结在管座上。1979年这一技术用在了压力变送器上。金硅焊料是金硅二相系（硅含量为19at.%），熔点为363°C，要比纯金或纯硅的熔点低得多。在工艺上使用时，它一般被用作中间过渡层，置于欲键合的两片之间，将它们加热到稍高于金硅共熔点的温度。在这种温度下，金硅混合物将从与其键合的硅片中夺取硅原子以达到硅在金硅二相系中的饱及状态，冷却以后就形成了良好的键合。利用这种技术可以实现硅片之间的键合 赠尘弄狂狱户银蹋扩噪情箍夷莲坑锅貉侩捣低榆桐移褒译撤甥脯惕掳屎昧第九讲微系统封装技术-键合技术第九讲微系统封装技术-键合技术 金在硅中是复合中心，能使硅中的少数载流子寿命大大降低。许多微机械加工是在低温下处理的，一般硅溶解在流动的金中，而金不会渗入到硅中，硅片中不会有金掺杂。这种硅-硅键合在退火以后，由于热不匹配会带来应力，在键合中要控制好温度。 　　金硅共熔中的硅-硅键合工艺是，先热氧化P型（100）晶向硅片，后用电子束蒸发法在硅片上蒸镀一层厚30nm的钛膜，再蒸镀一层120nm的金膜。这是因为钛膜与SiO2层有更高的粘合力。最后，将两硅片贴合放在加热器上，加一质量块压实，在350~400°C温度下退火。实验表明，在退火温度365°C，时间10分钟，键合面超过90%。键合的时间及温度是至关重要的。 　　除金之外，Al、Ti、Pt也可以作为硅-硅键合的中间过渡层 吐欣坯影质赠碑峦舅鹤漫唤还衬消匈杜鞠青柳增捍不持积械棒隅蚕被研俊第九讲微系统封装技术-键合技术第九讲微系统封装技术-键合技术 硅玻璃静电键合 静电键合又称场助键合或阳极键合。静电键合技术是Wallis及Pomerantz于1969年提出的。它可以将玻璃与金属、合金或半导体键合在一起而不用任何粘结剂。这种键合温度低、键合界面牢固、长期稳定性好。 　　静电键合装置如图所示。把将要键合的硅片接电源正极，玻璃接负极，电压500~1000V。将玻璃-硅片加热到300~500°C。在电压作用时，玻璃中的Na将向负极方向漂移，在紧邻硅片的玻璃表面形成耗尽层，耗尽层宽度约为几微米。耗尽层带有负电荷，硅片带正电荷，硅片和玻璃之间存在较大的静电引力，使二者紧密接触。这样外加电压就主要加在耗尽层上。通过电路中电流的变化情况可以反映出静电键合的过程。刚加上电压时，有一个较大的电流脉冲，后电流减小，最后几乎为零，说明此时键合已经完成 删限宵俞翱视台孩堆畴敦呛觅扩莎辞殴奇蒙暇船糕嘎炳梗淳镭窑托恫脐瘪第九讲微系统封装技术-键合技术第九讲微系统封装技术-键合技术 静电键合中，静电引力起着非常重要的作用。例如，键合完成样品冷却到室温后，耗尽层中的电荷不会完全消失，残存的电荷在硅中诱生出镜象正电荷，它们之间的静电力有1M P a左右。可见较小的残余电荷仍能产生可观的键合力。另外，在比较高的温度下，紧密接触的硅/玻璃界面会发生化学反应，形成牢固的化学键，如Si-O-Si键等。如果硅接电源负极，则不能形成键合，这就是“阳极键合”名称的由来。静电键合后的硅/玻璃界面在高温、常温-高温循环、高温且受到与键合电压相反的电压作用等各种情况下进行处理，发现： 　　（1）硅/玻璃静电键合界面牢固、稳定的关键是界面有足够的Si-O键形成； 　　（2）在高温或者高温时施加相反的电压作用后，硅/玻璃静电键合界面仍然牢固、稳定； 　　（3）静电键合失败后的玻璃可施加反向电压再次用于静电键合 腹八男逆完耍矿杯侨奄彪佐烙剥嘿慰陈铭咀面哪栖燥绅陇拳帐腥骇秉靡卯第九讲微系统封装技术-键合技术第九讲微系统封装技术-键合技术 影响静电键合的因素有很多，主要包括： 　　（1）两静电键合材料的热膨胀系数要近似匹配，否则在键合完成冷却过程中会因内部应力较大而破碎； 　　（2）阳极的形状影响键合效果。常用的有点接触电极及平行板电极。点接触电极，键合界面不会产生孔隙，而双平行板电极，键合体界面将有部分孔隙，键合的速率比前者快； 　　（3）表面状况对键合力也有影响。键合表面平整度和清洁度越高，键合质量越好。表面起伏越大，静电引力越小。表面相同的起伏幅度