材料科学基础第2版（于永宁）第10章.pptVIP

f3(cos?)=1，f2(cos?)=(1?cos?)2(2+cos?)/2 fi和cos?的关系 在所有的cos?值下都有f0?f1?f2?f3的关系。cos?? /2时，棱边形核自由能位垒变为零；cos?? 时，角隅形核自由能位垒为零。 若核心和相邻母相晶粒之一点阵匹配良好，会出现新相的不对称形状。 仅存在一种特定取向关系/共格界面时的情况。 当核心和母相都是立方结构，在一侧点阵匹配良好时，双球冠状不对称。 虽然非均匀形核的形核功比较小，但并不意味着非均匀形核的形核率一定高，因形核率除和形核功有关外还和单位体积中形核位置数有关。 形核率： 以(nv)i表示在单位体积中不同形核位置的原子数。 (nv)i按i从3?0的顺序大幅度减小。设晶粒尺寸为L，晶界厚度为d，则(nV)i和(nV)3的关系为: (nv)2的说明 故 对上式取对数，得 A=(kT/?G*)ln(d/L) 式中 A是一个比较各位置形核的形核率的一个重要的参数。设i?j，因为R为负值，(fi-fj)?0，所以，(i-j)R?(fi-fj)时，Ii?Ij。 若Ij=Ii+1，则 画出各种形核位置形核率相等时的A（=(kT/?G*)ln(d/L)） -cos?曲线，这些线划分了不同位置形核获得最大形核率的区域。曲线的细节取决于导出fi值时所作的假设，因而对于各个真实系统，各曲线的形状是略有不同。 规律：小的cos?值；-A值大（大晶粒、大的形核驱动力即小的?G*）有利于均匀形核；相反则有利于在角隅处形核。 等温相变时，可能整个相变过程只在一种形核地点（最大形核率的形核地点）上形核，也可能在相变早期阶段，居支配地位的形核地点已被相变产生的新相全部占据，形核只在另一种相对来说形核率较大的地点形成。由于在不同位置形核的形核率可以相差很大，所以，在很多情况下，处于支配地位的形核位置被形核饱和后，实际上就停止形核了出现形核地点饱和。 降温转变时，随过冷度增加（驱动力加大，-A的绝对值增加），开始时主要在角隅处形核，然后依次是晶粒棱边、晶界面，最后是均匀形核。 10.3.3.3 固态相变时在位错上形核 促发形核原因：松弛畸变能；富集溶质；快速扩散通道。 假设核心沿位错线析出，核心在垂直位错线的截面上呈圆形，截面上的半径是沿位错线变化的，它沿位错线的截面如图所示。若在单位长度上形成一个半径为r的圆柱形的新相核心，自由能改变为: 式中A=Gb2/4pK，临界半径为 以 ，它是负值，因此，只有?D??1时才有实根，当?D??1时，r*无实根。这样，当?D??1即形核驱动力比较大（过冷度或过饱和度比较大）时，在?G-r曲线上没有极点，即在位错上形核不需要形核功。如果扩散过程允许的话，相变过程会自动地进行。 在?G-r曲线上出现两个极点： 在r=r‘处出现?G的最低值，这时可粗略地看作和位错自发形成的溶质气团相类似。 在r=r*处出现?G的最高值，它相当于形核功。但是，比起均匀形核来说，形核功是小的。当?D?0.4～0.7时，在位错上的形核就比较明显。 10.3.3.4 固态相变时的层错上形核 促进形核原因：高能区+富集溶质； 从fcc母相中析出hcp新相，则层错已准备了结构条件，只需成分涨落来形核。但是，如果层错中有铃木气团，层错也可能为形核准备了成分条件，所以层错是潜在的形核位置。这类核心必然存在如下的取向关系： (111)母相∥(0001)新相 [110]母相∥[ 1120]新相 Al-Ag系a中g’的析出是在层错形核的典型例子 。 弗兰克部分位错攀移可以放出空位。若析出新相体积比原母相大，在层错边缘形核，伴随部分位错的攀移，核心形成和长大可吸收因位错攀移放出的空位来降低它的应变能。 奥氏体不锈钢中析出NbC 是这种情况的典型例子。 10.4 核心的长大 10.4.1 凝固时核心的长大 控制其生长过程的因素是：热扩散、质量扩散和界面张力。这些因素的相对重要性不仅取决于物质本身，还取决于凝固条件。 10.4.1.1 液固界面的结构 界面的结构不同，晶体长大时液相原子在它上面附着的难易程度也不同，从而对晶体的长大方式及长大速率有十分重要的影响。 T-L-K界面模型 晶体的液/固界面结构不同，界面上的各种类型的位置数目不同，它们的长大方式和速率必然不同。 Jackson用最近邻键模型讨论了液/固界面结构。 假设原来界面是平面，在平面上加入的原子是随机排列的。 在界面上有ni个可能加入原子的位置，当