n-InP半导体电极平带电位的研究-上海有机化学研究所.PDF

第 u卷第9 期 化学学报 Vol. 41 , No. 9 1983 年9 月 AOTA OHIMIOA SINIOA Sep. , 1983 n-InP 半导体电极平带电位的研究 钱士元钱道扩孙璧揉 〈上海交通大学应用化学系〉 用微分电容法及强光照开路电位法研究了电解质溶液的 pH、氧化还原对、交流电频率、 n-InP晶面及表面处理对其液结界面平带电位的影响，并测定了n-InP 半导体电极的一些 参数. 近年来半导体光电化学电池的研究得到了广泛重视，而半导体电极在电解液中的平 带电位伊tb 是一个重要参数，它对光电化学电池输出特性有重要影响. Wrighton 等∞测定了且-1丑P(l00) 面的平带电位; Oardon 等四研究了丑-1nP(III) 面的平带电位;Bard 等四研究了 InP 在乙腊榕液中的立带电位.关于n-InP(l馨)面的 平带电位的研究尚未见报道. 本文用微分电容法及强光照