n型有序多孔硅基氧化钨室温气敏性能研究-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 5 (2013) 057102 n 型有序多孔硅基氧化钨室温气敏性能研究* † 胡明 刘青林 贾丁立 李明达 ( 天津大学电子信息工程学院, 天津 300072 ) ( 2012 年8 月18 日收到; 2012 年10 月25 日收到修改稿) 利用电化学腐蚀方法制备了n 型有序多孔硅, 并以此为基底用直流磁控溅射法在其表面溅射不同厚度的氧化 钨薄膜. 利用X 射线和扫描电子显微镜表征了材料的成分和结构, 结果表明, 多孔硅的孔呈柱形有序分布, 溅射 10 min 的WO3 薄膜是多晶结构, 比较松散地覆盖在整个多孔硅的表面. 分别测试了多孔硅和多孔硅基氧化钨在室温条 件下对二氧化氮的气敏性能, 结果表明, 相对于多孔硅, 多孔硅基氧化钨薄膜对二氧化氮的气敏性能显著提高. 对多 孔硅基氧化钨复合结构的气敏机理分析认为, 多孔硅和氧化钨薄膜复合形成的异质结对良好的气敏性能起到主要 作用, 氧化钨薄膜表面出现了反型层引起了气敏响应时电阻的异常变化. 关键词: 有序多孔硅, 氧化钨薄膜, 二氧化氮, 室温气敏性能 PACS: 71.20.Nr, 73.40.Lq, 81.07.Bc DOI: 10.7498/aps.62.057102 低维化 16−19、采用不同制备方法2021、研究低 1 引言 温甚至常温气敏材料等方式来降低传感器的工作 温度. 从工业革命开始, 人类社会在取得巨大进展 多孔硅由于其独特的光学特性2223、常温气 的同时也付出了环境污染和生态恶化的巨大代价, 敏特性 24−28 以及在生物医学领域的应用2930 , 从光化学烟雾到酸雨, 空气污染越来越严重, NO2 20 世纪90 年代以来受到越来越多的重视. 多孔硅 在其中起着十分重要的影响. NO2 除火山喷发等 因其极大的比表面积而具有很高的表面活性, 能 自然来源外, 主要来自于燃料的燃烧、城市汽车 吸附外界环境中大量的气体分子, 改变其电学特 尾气. 此外, 工业生产过程也可产生一些NO . 据 31 2 性或光学特性 而表现出气敏性能. 在以多孔硅 估计, 全世界人为污染每年排出的氮氧化物大约 32 作为气敏材料的应用中, 一般采用光激励 、掺 为53 Mt. 主要危害大气、水源土壤等, 可对人类 杂或与其他材料复合 33−35 的方法达到提高灵敏 的呼吸系统和眼睛造成直接伤害. 我国的室内空 度或选择性的目的. 氧化钨作为一种常见的n 型 气质量标准中关于NO2 浓度的规定上限大约为 金属氧化物半导体材料, 也具有较好的电致变色 0.12 ppm. 随着人们对生活质量的要求逐渐提高, 36 3738 特性 和优异的气敏特性 . 本实验中我们 对NO2 气体的检测近年来成为一个重要课题, 进 在n 型有序多孔硅表面磁控溅射一层氧化钨薄膜, 而气敏传感器的研究取得了快速发展, 其中金属 利用多孔硅的室温气敏性能和氧化钨对NO2