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互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研
第卷第期 年月
５９ ３ ２０１０ ３ 物 理 学 报 Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．３，Ｍａｒｃｈ，２０１０
１０００３２９０／ ２０１０／ ５９ ０３ ／１ ９８５０６
（） ＡＣＴＡ ＰＨＹＳＩＣＡ ＳＩＮＩＣＡ ２０１０ Ｃｈｉｎ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏｃ．
互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射
效应预估模型研究
何宝平 姚志斌
（西北核技术研究所，西安 ７１０６１３）
（２００９ 年３ 月６ 日收到；２００９ 年７ 月１６ 日收到修改稿）
给出了一种新的预估互补金属氧化物半导体器件（ＣＭＯＳ器件）空间低剂量率辐射效应模型，相对线性响应预
估模型，该模型在预估ＣＭＯＳ器件低剂量率辐射效应方面更接近实际试验结果，且不同剂量率辐射试验结果证实
了所建模型的正确性．最后利用新建模型对处于空间低剂量率环境下ＣＭＯＳ器件的敏感参数进行了预估．
关键词：电离辐射，总剂量，低剂量率，预估方法
ＰＡＣＣ ６１８０Ｅ ６１７０Ａ
： ，
Ｖ ｔ
（）是每单位剂量的瞬时退火曲线的漂移量，
Δ ０ γ０
１ 引 言 Ａ
是用来获得瞬时退火曲线的总剂量，是瞬时退火
曲线斜率的大小，Ｃ是ｔ ＝ｔ 的截距．如果方程（１）对０
根据实验室实验数据来预估器件空间辐射响 所有的感兴趣时间是正确的的话，那么，能够通过
应是抗辐射加固研究的目的，国外在低剂量率辐射
Ｖ
积分剂量率和瞬时退火响应 来预估辐射诱导
Δ
０
［１—５］
效应预估技术方面已经进行了多年的研究 ，它
阈值电压的漂移 （），即
ΔＶ ｔ
ｔｈ
ＭＩＬ
们可能被作为附加的加速退火方法出现在
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